发明公开
- 专利标题： MONOLITHISCH INTEGRIERTE PLANARE HALBLEITERANORDNUNG MIT TEMPERATURKOMPENSATION
- 专利标题（英）： Monolithically integrated planar semi-conductor arrangement with temperature compensation
- 专利标题（中）： 带温度补偿单片集成平面半导体器件
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申请号： EP96917357.0申请日： 1996-06-18
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公开(公告)号： EP0843897A1公开(公告)日： 1998-05-27
- 发明人: MICHEL, Hartmut , PLUNTKE, Christian , GOERLACH, Alfred
- 申请人： ROBERT BOSCH GMBH
- 申请人地址： Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart DE
- 专利权人： ROBERT BOSCH GMBH
- 当前专利权人： ROBERT BOSCH GMBH
- 当前专利权人地址： Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart DE
- 优先权： DE19951026902 19950722
- 国际公布： WO1997004486 19970206
- 主分类号： H01L29
- IPC分类号： H01L29 ; H01L21 ; H01L27
摘要：
The invention concerns a semi-conductor component in which a zone (3) is produced in a semi-conductor substrate (1, 2) and forms therewith a PN junction. A cover electrode (6) and a highly doped zone (4) are provided in the region of the developing space charge zone. The cover electrode (6) is connected to a voltage divider (Z1, R1, Z2, R2, TR) whereby the potential of the cover electrode (6) is adjusted so as to be temperature-compensated.
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