利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

36 条记录 (耗时 0.015 秒)

    INTEGRIERTE SCHALTUNG
    3.
    发明公开
    INTEGRIERTE SCHALTUNG 失效
    集成电路

    公开(公告)号：EP0829136A1

    公开(公告)日：1998-03-18

    申请号：EP96910900.0

    申请日：1996-04-20

    申请人： ROBERT BOSCH GMBH

    发明人： MICHEL, Hartmut ,  PLUNTKE, Christian

    IPC分类号： H03K17 ,  H02H5 ,  H02H9

    CPC分类号： H03K17/08126 ,  H02H5/042 ,  H02H9/001 ,  H03K2017/0806

    摘要： The invention relates to an integrated circuit with a power transistor (T1, T2, T3) and a temperature-dependently operating circuit (14) thermally coupled to the power transistor. There is a pnp or npn transistor (T5), the off-state current of which, which changes dependently upon the temperature, triggers a change in the base current (I) of the power transistor (T1, T2, T3).

    LEISTUNGSENDSTUFE MIT EINER DARLINGTON-SCHALTUNG ZUM SCHALTEN EINER INDUKTIVEN LAST, INSBESONDERE DER ZÜNDSPULE EINER BRENNKRAFTMASCHINE
    4.
    发明公开
    LEISTUNGSENDSTUFE MIT EINER DARLINGTON-SCHALTUNG ZUM SCHALTEN EINER INDUKTIVEN LAST, INSBESONDERE DER ZÜNDSPULE EINER BRENNKRAFTMASCHINE 失效
    WITH A达林顿电路功率输出级，用于切换的电感性负载，特别是点火线圈的内燃机。

    公开(公告)号：EP0550469A1

    公开(公告)日：1993-07-14

    申请号：EP91915498.0

    申请日：1991-09-07

    申请人： ROBERT BOSCH GMBH

    发明人： HÖHNE, Gerd ,  MICHEL, Hartmut ,  GADEMANN, Lothar ,  BODIG, Bernd

    IPC分类号： F02P3 ,  F02P9

    CPC分类号： F02P3/0552 ,  F02P3/0435 ,  F02P9/002

    摘要： On propose un étage de sortie avec un circuit de Darlington (11, 12) pour la mise en circuit d'une charge inductive, en particulier la bobine d'allumage d'un moteur à combustion interne. Pour prédéterminer le mode de fonctionnement de l'étage de sortie, il est prévu un commutateur (24) monté en dérivation sur la section base-émetteur du circuit de Darlington (11, 12), qui se ferme en cas de mise hors circuit rapide de l'étage de sortie et qui s'ouvre en cas de mise hors circuit avec limitation de tension de l'étage de sortie. Un diviseur de tension constitué d'au moins deux résistances (16, 18) et monté en dérivation sur la section de commutation du circuit de Darlington (11, 12) est relié par sa prise au point de connexion entre le commutateur (24) et la base du circuit de Darlington (11, 12), ce commutateur (24) étant branché en parallèle sur une partie (18) du diviseur de tension. Lorsque le commutateur (24) est ouvert, le circuit de Darlington est remis en circuit par l'intermédiaire de la résistance (16) lorsqu'une tension limite basse, par exemple de 35 volts, est atteinte, de sorte qu'en cas d'excitation d'une bobine d'allumage, on obtient une mise hors circuit sans étincelles. Ce dispositif ne nécessite qu'un nombre très réduit de composants simples et peu onéreux.

    HALBLEITERSCHALTELEMENT
    5.
    发明公开
    HALBLEITERSCHALTELEMENT 失效
    半导体电路元件。

    公开(公告)号：EP0491718A1

    公开(公告)日：1992-07-01

    申请号：EP90912112.0

    申请日：1990-08-24

    申请人： ROBERT BOSCH GMBH

    发明人： MICHEL, Hartmut ,  DENNER, Volkmar ,  MINDL, Anton

    IPC分类号： H01L29 ,  F02P7

    CPC分类号： H01L29/87

    摘要： Le semiconducteur comporte une première couche (1) dotée de N+, une deuxième couche (2) dotée de p, une troisième couche (3) dotée de n- et une quatrième couche (4) dotée de p. La couche (1) constitue un émetteur côté cathode, la couche (4) un émetteur côté anode avec les métallisation correspondantes (6 et 7). Selon l'invention, le semiconducteur permet de déclencher un processus de basculement grâce au fait que les deux couches du milieu (la deuxième couche (2) et la troisième couche (3)) sont caractérisées par une épaisseur et un dosage tels que la zone de charge spatiale, lors de l'application d'une tension au semiconducteur, s'étende à la transition pn la plus proche (entre la troisième couche (3) et la quatrième couche (4) et/ou la première couche (1) et la deuxième couche (2)) de manière que l'amplification de courant alpha(alphapnp et/ou alphanpn) augmente. Le processus de basculement peut également être déclenché par le fait que la zone de charge spatiale atteint une transition pn très proche. Le composant objet de l'invention est caractérisé par de faibles variations de des paramètres UBO et IH, surtout si on utilise pour la couche du milieu (3) un matériau Si doté de n (rho 100 OMEGAcm). Les paramètres UBo, IBO et IH du composant objet de l'invention peuvent être réglés de manière sensiblement indépendante. En utilisant ces composants on peut réaliser des circuits en série constitués de nombreux éléments, et surtout on peut construire très facilement des empilements de composants pour des tensions très élevées, qui sont surtout utiles comme commutateurs passifs rapides haute tension pour augmenter la vitesse de montée des impulsions de tension élevée du circuit secondaire d'un système d'allumage.

    Halbleiter-Schaltungsanordnung zum Schalten einer induktiven Last
    6.
    发明授权
    Halbleiter-Schaltungsanordnung zum Schalten einer induktiven Last 失效
    用于感应负载的半导体开关电路

    公开(公告)号：EP0080462B1

    公开(公告)日：1986-01-29

    申请号：EP82900789.7

    申请日：1982-03-05

    申请人： ROBERT BOSCH GMBH

    发明人： MICHEL, Hartmut ,  GADEMANN, Lothar ,  JESSE, Erich

    IPC分类号： H03K17/04

    CPC分类号： H03K17/615 ,  H03K17/04126

    摘要： The Darlington transistor circuit presents three stages and comprises a power transistor (T3), a driver transistor (T2) and an input transistor (T1). The collectors of those three transistors are interconnected, while the transmitter of the driver transistor (T2) is connected to the base of the power transistor (T3) and the transmitter of the input transistor (T1) is connected to the base of the driver transistor (T2). The base of the driver transistor (T2) is also connected to a terminal of a first resistor (R1) of which the other terminal is connected to the anode of a Zener diode (ZD). On the base-transmitter junction of the driver transistor (T2) there is mounted in parallel a second resistor (R2). Due to the presence of the Zener diode (ZD) and of the two resistors (R1, R2), the driver transistor (T2) and the power transistor (T3) become passing transistors when obtaining a given voltage on the cathode of the Zener diode (ZD), while the variation, as a function of the temperature, of such insertion voltage is determined by the ratio between those two resistors.

    TRANSISTORANORDNUNG MIT EINEM ENDSTUFENTRANSISTOR
    10.
    发明授权
    TRANSISTORANORDNUNG MIT EINEM ENDSTUFENTRANSISTOR 失效
    晶体管布置与输出晶体管

    公开(公告)号：EP0311605B1

    公开(公告)日：1993-03-31

    申请号：EP87902434.7

    申请日：1987-05-09

    申请人： ROBERT BOSCH GMBH

    发明人： FLOHRS, Peter ,  HEYKE, Klaus ,  MICHEL, Hartmut ,  NELLE, Ulrich

    IPC分类号： H03K17/04 ,  H01L27/08

    CPC分类号： H03K17/0422 ,  H01L27/0821

    摘要： A transistor arrangement with a power transistor (T1, T2) which can be disconnected at a particularly high speed. For this, a discharging transistor (T4) is provided which, after the base current of the output transistor has been switched off, discharges the charge carriers from the base area of the output transistor. Behaviour is improved by a sequential transistor (T3), whose intrinsic storage capacity of charge carriers on the base is exploited. Furthermore a description is given of a diffusion structure particularly suited for monolithic integration.