发明公开
EP0933801A1 Procédé de dépôt d'une région de silicium monocristallin
审中-公开
Verfahren zur Abscheidung eines Gebietes aus monokristallinem Silizium
- 专利标题： Procédé de dépôt d'une région de silicium monocristallin
- 专利标题（英）： Process for depositing a monocrystalline Silicon region
- 专利标题（中）： Verfahren zur Abscheidung eines Gebietes aus monokristallinem Silizium
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申请号： EP99410006.3申请日： 1999-01-29
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公开(公告)号： EP0933801A1公开(公告)日： 1999-08-04
- 发明人: Gris, Yvon , Troillard, Germaine , Mourier, Jocelyne
- 申请人： STMicroelectronics S.A. , FRANCE TELECOM
- 申请人地址： 7, Avenue Galliéni 94250 Gentilly FR
- 专利权人： STMicroelectronics S.A.,FRANCE TELECOM
- 当前专利权人： STMicroelectronics S.A.,FRANCE TELECOM
- 当前专利权人地址： 7, Avenue Galliéni 94250 Gentilly FR
- 代理机构： de Beaumont, Michel
- 优先权： FR9801313 19980130
- 主分类号： H01L21/205
- IPC分类号： H01L21/205 ; H01L21/20 ; C30B29/06 ; C30B25/18 ; H01L21/285 ; H01L29/417 ; H01L21/265
摘要：
L'invention concerne un procédé de dépôt d'une couche de silicium sur un substrat de silicium monocristallin (11), de sorte que cette couche de silicium soit monocristalline, mais d'orientation différente de celle du substrat, comprenant les étapes consistant à délimiter une fenêtre sur le substrat ; créer à l'intérieur de la fenêtre des défauts interstitiels (14) dans une proportion atomique inférieure à un sur cent ; et effectuer un dépôt de silicium (15') dans des conditions correspondant généralement à celles d'un dépôt épitaxial, mais à une température inférieure à 900°C.
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