公开(公告)号：EP0933801A1

公开(公告)日：1999-08-04

申请号：EP99410006.3

申请日：1999-01-29

申请人： STMicroelectronics S.A. ,  FRANCE TELECOM

发明人： Gris, Yvon ,  Troillard, Germaine ,  Mourier, Jocelyne

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  C30B29/06 ,  C30B25/18 ,  H01L21/285 ,  H01L29/417 ,  H01L21/265

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B25/02 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/66287 ,  Y10S117/913

摘要： L'invention concerne un procédé de dépôt d'une couche de silicium sur un substrat de silicium monocristallin (11), de sorte que cette couche de silicium soit monocristalline, mais d'orientation différente de celle du substrat, comprenant les étapes consistant à délimiter une fenêtre sur le substrat ; créer à l'intérieur de la fenêtre des défauts interstitiels (14) dans une proportion atomique inférieure à un sur cent ; et effectuer un dépôt de silicium (15') dans des conditions correspondant généralement à celles d'un dépôt épitaxial, mais à une température inférieure à 900°C.

摘要翻译： 在外延沉积条件下，但是在低温下将单晶硅层沉积到包含间隙缺陷的局部单晶硅衬底区域（14）上。 通过以下步骤进行单晶硅层沉积到不同取向的单晶硅衬底（11）上：（a）在衬底的暴露部分中产生小于1原子％的间隙缺陷（14）; 和（b）在外延沉积条件下沉积硅（15'），但低于900℃。优选特征：通过在氧化硅层中的开口注入电中性元素而产生缺陷。

公开(公告)号：EP0975018A1

公开(公告)日：2000-01-26

申请号：EP99410087.3

申请日：1999-07-20

申请人： STMicroelectronics SA ,  Koninklijke Philips Electronics N.V. ,  FRANCE TELECOM

发明人： Gris, Yvon ,  Troillard, Germaine ,  Mourier, Jocelyne ,  Guelen, Jos ,  Lunardi, Geneviève ,  Banvillet, Henri ,  Oberlin, Jean-Claude ,  Maddalon, Catherine

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L28/55 ,  H01L21/76838 ,  H01L28/60

摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'un condensateur comprenant les étapes consistant à déposer un premier niveau de métal et le graver pour laisser en place une région (12) correspondant à une première plaque d'un condensateur et une zone (13) de contact avec un niveau supérieur ; déposer une couche isolante (15) ; former une première ouverture au-dessus de la première plaque de condensateur (12) ; déposer une couche isolante mince (17) ; former une deuxième ouverture (20) au-dessus de la zone de contact ; déposer un deuxième niveau de métal (24) ; éliminer par gravure physico-chimique la deuxième couche de métal en dehors des régions où elle remplit les ouvertures ; déposer un troisième niveau de métal et en laisser en place des portions (31, 32).

摘要翻译： 工艺涉及对应于电容板的区域（12）沉积和蚀刻金属层和接触较高层的区域（13）; 沉积绝缘层; 在板上方形成孔，沉积薄绝缘层; 在接触区上方形成第二孔; 沉积第二金属层; 蚀刻第二金属层，除了孔填充区域; 和沉积第三金属层（31,32）。 第一和第二金属层是钨，第三金属层是Al-Cu。 第一洞有斜壁，第二洞有直墙。

公开(公告)号：EP0851488B1

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：EP97410150.3

申请日：1997-12-24

申请人： STMicroelectronics S.A.

发明人： Gris, Yvon ,  Mourier, Jocelyne ,  Troillard, Germaine

IPC分类号： H01L21/8249 ,  H01L27/06

CPC分类号： H01L21/8249 ,  H01L27/0623