发明公开
EP0984486A3 Combined preanneal/oxidation step using rapid thermal processing (RTP)
审中-公开
组合预退火/使用快速热氧化处理步骤（RTP）
- 专利标题： Combined preanneal/oxidation step using rapid thermal processing (RTP)
- 专利标题（中）： 组合预退火/使用快速热氧化处理步骤（RTP）
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申请号： EP99115879.1申请日： 1999-08-12
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公开(公告)号： EP0984486A3公开(公告)日： 2000-04-19
- 发明人: Tews, Helmut Horst , Schrems, Martin , Gärtner, Thomas
- 申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 申请人地址： Wittelsbacherplatz 2 80333 München DE
- 专利权人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 当前专利权人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 当前专利权人地址： Wittelsbacherplatz 2 80333 München DE
- 代理机构： Patentanwälte Westphal, Mussgnug & Partner
- 优先权： US146870 19980903
- 主分类号： H01L21/316
- IPC分类号： H01L21/316 ; H01L21/322
摘要：
A combined preanneal/oxidation step using a rapid thermal process (RTP) for treatment of a silicon wafer to form a thermal oxide of a given thickness while simultaneously adjusting the denuded zone depth and bulk micro defect density (BMD) comprising: exposing the wafer to a controlled temperature and a controlled preannealing time in an oxidation ambient at ambient pressure to obtain a target thermal oxide thickness that is preselected to correspond to a preselected denuded zone depth.
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