发明授权
- 专利标题： PROCEDE DE TRAITEMENT THERMIQUE DE SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS
- 专利标题（英）： Heat treatment method for semiconductor substrates
- 专利标题（中）： 法半导体衬底的热处理
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申请号： EP99911878.9申请日： 1999-04-06
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公开(公告)号： EP0986826B1公开(公告)日： 2010-12-29
- 发明人: MALEVILLE, Christophe , BARGE, Thierry , ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , AUBERTON-HERVE, André-Jacques
- 申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
- 申请人地址： Bâtiment "Le Ponant D" 25, rue Leblanc 75015 Paris FR
- 专利权人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
- 当前专利权人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
- 当前专利权人地址： Bâtiment "Le Ponant D" 25, rue Leblanc 75015 Paris FR
- 代理机构： Texier, Christian
- 优先权： FR9804299 19980407
- 国际公布： WO1999052145 19991014
- 主分类号： H01L21/762
- IPC分类号： H01L21/762
摘要：
The invention concerns a method for treating a substrate comprising a semi-conducting layer (4) on at least one of its surfaces. Said method comprises a step for annealing the substrate and a step for forming an oxide layer (6) at the semi-conducting layer (4) surface, carried out before the end of the annealing step, protecting the remainder of the semi-conducting layer (4).
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