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发明公开
EP1071122A1 Procédé de correction des effets topographiques sur substrat en micro electronique 有权
一种用于校正微电子基板的方法地形

  • 专利标题： Procédé de correction des effets topographiques sur substrat en micro electronique
  • 专利标题（英）： Process for correcting the topography of microelectronic substrates
  • 专利标题（中）： 一种用于校正微电子基板的方法地形
  • 申请号： EP00402053.3
    申请日： 2000-07-19
  • 公开(公告)号： EP1071122A1
    公开(公告)日： 2001-01-24
  • 发明人: Schiltz, André , Paoli, Maryse , Schiavone, Patrick , Prola, Alain
  • 申请人： FRANCE TELECOM
  • 申请人地址： 6, Place d'Alleray 75015 Paris FR
  • 专利权人： FRANCE TELECOM
  • 当前专利权人： FRANCE TELECOM
  • 当前专利权人地址： 6, Place d'Alleray 75015 Paris FR
  • 代理机构： Texier, Christian
  • 优先权： FR9909521 19990722
  • 主分类号： H01L21/3105
  • IPC分类号： H01L21/3105
Procédé de correction des effets topographiques sur substrat en micro electronique
摘要：
La présente invention concerne un procédé de correction des effets topographiques sur substrat en microélectrique, caractérisé par le fait qu'il comprend les étapes consistant à déposer une couche de résine (200) sur la structure à planariser comportant une topographie en relief entourée de zones d'isolement et soumettre cette couche de résine (200) au niveau de ces zones superposées aux zones de forte densité de topographie sous-jacente à une photo lithographie à l'aide d'un masque possédant des mailles standard sans coïncidence univoque avec la topographie sous-jacente.
摘要（英）：

The present invention relates to a process for correction of topographic effects on microelectronic substrate, characterized in that it comprises the steps of depositing a resin layer (200) on the planarized structure having a relief topography surrounded by areas isolation and submit this resin layer (200) at the overlapping areas to areas of high density topography underlying photolithography using a mask with standard mesh without univocal coincidence with the topography under -jacente.

公开/授权文献
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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31 .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105 ......后处理
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