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1.发明授权
公开(公告)号：EP1071122B1
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：EP00402053.3
申请日：2000-07-19
申请人： FRANCE TELECOM
IPC分类号： H01L21/3105
CPC分类号： H01L21/31056
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2.发明授权Procédé d'isolement de zones actives d'un substrat semi-conducteur par tranchées peu profondes quasi-planes 失效用于在半导体衬底的有源区隔离的方法具有浅沟槽平面化
公开(公告)号：EP0673062B1
公开(公告)日：2002-09-11
申请号：EP95400513.8
申请日：1995-03-10
申请人： FRANCE TELECOM
发明人： Paoli, Maryse , Brouquet, Pierre , Haond, Michel
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76205
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3.发明公开Procédé d'isolement de zones actives d'un substrat semi-conducteur par tranchées peu profondes quasi-planes, et dispositif correspondant 失效用于在半导体衬底的有源区隔离的方法具有浅沟槽平面化，和具有壕沟半导体装置。
公开(公告)号：EP0673062A1
公开(公告)日：1995-09-20
申请号：EP95400513.8
申请日：1995-03-10
申请人： FRANCE TELECOM
发明人： Paoli, Maryse , Brouquet, Pierre , Haond, Michel
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76205
摘要： Le dispositif semi-conducteur comprend au sein d'un substrat semi-conducteur (1) au moins une région prédéterminée de substrat (6) destinée à former ultérieurement une zone active, découverte au niveau de sa surface supérieure et située entre les tranchées latérales (7) contenant un matériau isolant comportant au moins une couche d'un oxyde dit conforme, le matériau isolant formant de part et d'autre de ladite région prédéterminée de substrat découverte, une bosse (16) sur la surface supérieure plane du dispositif. La hauteur de la bosse est inférieure à 1000 Å et le matériau isolant peut comporter également de l'oxyde d'aplanissement.
摘要翻译： 通过横向沟槽隔离的半导体衬底的有源区的方法，包括：（1）形成，在基板（1）的沟槽（7），其被布置末期的反弹w.r.t. 用于形成有源区的基板区域（6）; （B）沉积保形的沟槽绝缘氧化物层（8）（7），并且在区域（6）; （C）进行致密化退火; （D）选择性地蚀刻，以留下在每个区域（6）或区域的组的任一侧伸出的保形氧化物区; （E）对所述共形氧化物层，以局部机械 - 化学抛光到突出区域的高度降低至低于所选择的残余浮雕高度; 和（f）通过化学蚀刻以检测腐蚀结束的露出区域（6）。 这样一种被具有至少一个沟槽隔离的有源区形成区域的半导体器件。
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4.发明授权Procédé d'isolement de zones actives d'un substrat semi-conducteur par tranchées peu profondes, notamment étroites 失效一种用于通过浅，宽沟不是装置在一个半导体基板隔离区域activer方法
公开(公告)号：EP0673061B1
公开(公告)日：2002-09-11
申请号：EP95400514.6
申请日：1995-03-10
申请人： FRANCE TELECOM
发明人： Paoli, Maryse , Brouquet, Pierre , Haond, Michel
IPC分类号： H01L21/76
CPC分类号： H01L21/76205 , Y10S148/133
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5.发明公开
公开(公告)号：EP1071122A1
公开(公告)日：2001-01-24
申请号：EP00402053.3
申请日：2000-07-19
申请人： FRANCE TELECOM
IPC分类号： H01L21/3105
CPC分类号： H01L21/31056
摘要： La présente invention concerne un procédé de correction des effets topographiques sur substrat en microélectrique, caractérisé par le fait qu'il comprend les étapes consistant à déposer une couche de résine (200) sur la structure à planariser comportant une topographie en relief entourée de zones d'isolement et soumettre cette couche de résine (200) au niveau de ces zones superposées aux zones de forte densité de topographie sous-jacente à une photo lithographie à l'aide d'un masque possédant des mailles standard sans coïncidence univoque avec la topographie sous-jacente.
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6.发明公开Procédé d'isolement de zones actives d'un substrat semi-conducteur par tranchées peu profondes, notamment étroites, et dispositif correspondant 失效一种用于通过浅，宽沟的手段在半导体衬底隔离activer区和不对应的排列方法。
公开(公告)号：EP0673061A1
公开(公告)日：1995-09-20
申请号：EP95400514.6
申请日：1995-03-10
申请人： FRANCE TELECOM
发明人： Paoli, Maryse , Brouquet, Pierre , Haond, Michel
IPC分类号： H01L21/76
CPC分类号： H01L21/76205 , Y10S148/133
摘要： Le dispositif semi-conducteur comprend au sein d'un substrat semi-conducteur (1) au moins une région prédéterminée de substrat (6) destinée à former ultérieurement une zone active, découverte au niveau de sa surface supérieure et située entre des tranchées latérales (7) contenant un matériau isolant comportant une couche d'un premier oxyde dit d'aplanissement (9) et au moins une couche sous-jacente d'un deuxième oxyde isolant (8) dit conforme. Le matériau isolant peut former, de part et d'autre de ladite région prédéterminée découverte du substrat (6), une bosse (16) sur la surface supérieure plane du dispositif (D), inférieure à 1000 Å.
摘要翻译： 这将在后面预期半导体衬底包括：（1）具有中心区域（6）全部以成为有源区。 基板是由两个层（7）含绝缘材料的覆盖。 此besteht氧化物材料的两个层（8,9）的。 绝缘材料形成的凸台（16），投影装置的主表面的平面的上方，投射小于1000个埃。
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