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发明公开
EP1075027A3 Kontaktierung von Metalleiterbahnen eines integrierten Halbleiterchips 审中-公开
接触集成的半导体芯片的金属迹线

  • 专利标题： Kontaktierung von Metalleiterbahnen eines integrierten Halbleiterchips
  • 专利标题（英）： Contacting of metal interconnections of integrated semiconductor chips
  • 专利标题（中）： 接触集成的半导体芯片的金属迹线
  • 申请号： EP00116723.8
    申请日： 2000-08-02
  • 公开(公告)号： EP1075027A3
    公开(公告)日： 2005-06-29
  • 发明人: Baenisch, Andreas , Kling, Sabine
  • 申请人： Infineon Technologies AG
  • 申请人地址： St.-Martin-Strasse 53 81669 München DE
  • 专利权人： Infineon Technologies AG
  • 当前专利权人： Infineon Technologies AG
  • 当前专利权人地址： St.-Martin-Strasse 53 81669 München DE
  • 代理机构： Epping Hermann & Fischer
  • 优先权： DE19936862 19990805
  • 主分类号： H01L23/528
  • IPC分类号： H01L23/528
Kontaktierung von Metalleiterbahnen eines integrierten Halbleiterchips
摘要：
Ein integrierter Halbleiterchip weist wenigstens zwei Metalleiterbahnen (1, 2) zweier unterschiedlicher Metallisierungsebenen (11, 12) auf, die parallel zueinander angeordnet sind. Die Metalleiterbahnen (1, 2) sind über wenigstens eine elektrisch leitende Kontaktstelle (3) miteinander verbunden. Die Metalleiterbahnen (1, 2) verlaufen in einem ersten Bereich (10) je Richtung orthogonal zueinander. In einem zweiten Bereich (20), in dem sie miteinander kontaktiert sind, verlaufen sie je Richtung parallel zueinander und schiefwinklig zu den Richtungen der Metalleiterbahnen (1, 2) des ersten Bereichs (10). Mit dieser Anordnung wird, bei geringem Einfluß der Elektromigration, ein vergleichsweise geringer notwendiger Platzbedarf zur Kontaktierung von zueinander orthogonalen Metalleiterbahnen ermöglicht.
摘要（英）：

An integrated semiconductor chip has at least two metal leads (1, 2) of two different metallization (11, 12) which are arranged parallel to each other. The metal leads (1, 2) are interconnected via at least one electrically conductive contact point (3). The metal leads (1, 2) extend in a first region (10) in each direction orthogonal to each other. In a second region (20), in which they are contacted with each other, they extend in each direction parallel to one another and at an oblique angle to the directions of the metal conductor tracks (1, 2) of the first region (10). With this arrangement, at low influence of the electro-migration, a comparatively small space requirement necessary for the contacting of orthogonal metal lines allows.

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