发明授权
EP1124262B1 Integrated circuit comprising a multilayer dielectric stack and method
有权
用介电层复合材料和方法的一个集成电路
- 专利标题： Integrated circuit comprising a multilayer dielectric stack and method
- 专利标题（中）： 用介电层复合材料和方法的一个集成电路
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申请号： EP01301136.6申请日： 2001-02-08
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公开(公告)号： EP1124262B1公开(公告)日： 2006-04-19
- 发明人: Ma, Yanjun , Ono, Yoshi
- 申请人： SHARP KABUSHIKI KAISHA
- 申请人地址： 22-22, Nagaike-cho Abeno-ku Osaka-shi, Osaka 545-8522 JP
- 专利权人： SHARP KABUSHIKI KAISHA
- 当前专利权人： SHARP KABUSHIKI KAISHA
- 当前专利权人地址： 22-22, Nagaike-cho Abeno-ku Osaka-shi, Osaka 545-8522 JP
- 代理机构： Brown, Kenneth Richard
- 优先权： US502420 20000211
- 主分类号： H01L29/51
- IPC分类号： H01L29/51 ; H01L21/28 ; H01L21/336
公开/授权文献
- EP1124262A3 Multilayer dielectric stack and method 公开/授权日：2002-10-09
信息查询
IPC分类:
