发明公开
- 专利标题: CMOS-Spannungsteiler
- 专利标题(英): CMOS-voltage divider
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申请号: EP01103969.0申请日: 2001-02-19
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公开(公告)号: EP1136900A1公开(公告)日: 2001-09-26
- 发明人: Boehm, Thomas , Esterl, Robert , Lammers, Stefan , Manyoki, Zoltan
- 申请人: Infineon Technologies AG
- 申请人地址: St.-Martin-Strasse 53 81669 München DE
- 专利权人: Infineon Technologies AG
- 当前专利权人: Infineon Technologies AG
- 当前专利权人地址: St.-Martin-Strasse 53 81669 München DE
- 代理机构: MÜLLER & HOFFMANN Patentanwälte
- 优先权: DE10014385 20000323
- 主分类号: G05F3/24
- IPC分类号: G05F3/24
摘要:
Die Erfindung betrifft einen CMOS-Spannungsteiler mit einer ersten Kette (A) aus in Reihe geschalteten MOS-Transistoren (N0-N4) eines ersten Leitungstyps (N), die jeweils gleiche geometrische Abmessungen haben und dabei jeweils gleiche Gate-Source-Spannungen haben, die im linearen Bereich ihrer Kennlinie arbeiten und zwischen deren entgegengesetzten Enden die zu teilende Eingangsspannung (V IN ) anliegt und an deren Source-Anschlüssen jeweils die Teilspannungen ableitbar sind, und ist dadurch gekennzeichnet, dass eine zweite Kette (B) aus zu den ersten MOS-Transistoren (N0-N4) komplementären in Reihe geschalteten MOS-Transistoren (P0-P4) in gleicher Anzahl wie die ersten MOS-Transistoren und mit jeweils gleicher geometrischer Abmessung vorgesehen ist, und die MOS-Transistoren der ersten Kette (A) so mit den MOS-Transistoren der zweiten Kette (B) verbunden sind, dass jede MOS-Transistorkette (A, B) die Gate-Source-Vorspannung für die jeweils andere MOS-Transistorkette (B, A) erzeugt.
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