发明授权
EP1225596B1 Programming and erasing methods for a reference cell of an NROM array
有权
编程和擦除方法用于存储器NROM的参考单元
- 专利标题： Programming and erasing methods for a reference cell of an NROM array
- 专利标题（中）： 编程和擦除方法用于存储器NROM的参考单元
-
申请号： EP01309289.5申请日： 2001-11-01
-
公开(公告)号： EP1225596B1公开(公告)日： 2007-02-14
- 发明人: Bloom, Ilan , Maayan, Eduardo , Eitan, Boaz
- 申请人： Saifun Semiconductors Ltd.
- 申请人地址： 14 Hamelacha Street, Poleg Industrial Park Netanya 42504 IL
- 专利权人： Saifun Semiconductors Ltd.
- 当前专利权人： Saifun Semiconductors Ltd.
- 当前专利权人地址： 14 Hamelacha Street, Poleg Industrial Park Netanya 42504 IL
- 代理机构： Kenrick, Mark Lloyd
- 优先权： US730586 20001207; US827596 20010405
- 主分类号： G11C16/10
- IPC分类号： G11C16/10
公开/授权文献
信息查询
