发明授权
- 专利标题： VERWENDUNG EINES SUBSTRATS AUF BASIS VON SILICIUMNITRID FÜR DIE HERSTELLUNG VON HALBLEITER BAUELEMENTE
- 专利标题（英）： Use of silicon nitride based substrate for the production of semi-conductor components
- 专利标题（中）： 基板的使用基于氮化硅的半导体部件的制造
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申请号： EP01985334.0申请日： 2001-11-22
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公开(公告)号： EP1341737B1公开(公告)日： 2011-03-16
- 发明人: WÖTTING, Gerhard , WODITSCH, Peter , HÄSSLER, Christian , STOLLWERCK, Gunther
- 申请人： H.C. Starck Ceramics GmbH & Co. KG
- 申请人地址： Lorenz-Hutschenreuther-Strasse 81 95100 Selb DE
- 专利权人： H.C. Starck Ceramics GmbH & Co. KG
- 当前专利权人： H.C. Starck Ceramics GmbH & Co. KG
- 当前专利权人地址： Lorenz-Hutschenreuther-Strasse 81 95100 Selb DE
- 代理机构： Peters, Frank M.
- 优先权： DE10060221 20001204
- 国际公布： WO2002046121 20020613
- 主分类号： C04B35/584
- IPC分类号： C04B35/584 ; C04B35/591
摘要：
The invention relates to a silicone nitride based substrate for semi-conductor components, said substrate containing silicon nitride (Si3N4), silicon carbide (SiC) and silicon oxynitride (Si2N2O) as crystalline phases. The silicon phase content is ≤ 5 %, the shrinkage during production is
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