公开(公告)号：EP2272810A3

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：EP10179348.7

申请日：2001-11-22

申请人： H.C. Starck Ceramics GmbH & Co. KG

发明人： Wötting, Gerhard ,  Woditsch, Peter ,  Häßller, Christian ,  Stolwerck, Gunther

IPC分类号： C04B35/584 ,  C04B35/591 ,  C04B35/589 ,  C04B41/89 ,  H01L31/0392

CPC分类号： C04B41/009 ,  C04B35/589 ,  C04B35/591 ,  C04B35/5935 ,  C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  C04B2111/00844 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  C04B41/4531 ,  C04B41/5035 ,  C04B41/5066 ,  C04B41/524 ,  C04B41/0072 ,  C04B41/5096 ,  C04B41/5353 ,  C04B41/4529 ,  C04B41/5011 ,  C04B41/5041 ,  C04B35/584

摘要： Substrat auf Basis von Siliciumnitrid für Halbleiter-Bauelemente, wobei das Substrat als kristalline Phasen Siliciumnitrid (Si 3 N 4 ), Siliciumcarbid (SiC) und Siliciumoxynitrid (Si 2 N 2 O) enthält und der Phasenbestand an Silicium ≤ 5%, die Schwindung bei der Herstellung

公开(公告)号：EP1341737B1

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：EP01985334.0

申请日：2001-11-22

申请人： H.C. Starck Ceramics GmbH & Co. KG

发明人： WÖTTING, Gerhard ,  WODITSCH, Peter ,  HÄSSLER, Christian ,  STOLLWERCK, Gunther

IPC分类号： C04B35/584 ,  C04B35/591

CPC分类号： C04B41/009 ,  C04B35/589 ,  C04B35/591 ,  C04B35/5935 ,  C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  C04B2111/00844 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  C04B41/4531 ,  C04B41/5035 ,  C04B41/5066 ,  C04B41/524 ,  C04B41/0072 ,  C04B41/5096 ,  C04B41/5353 ,  C04B41/4529 ,  C04B41/5011 ,  C04B41/5041 ,  C04B35/584

摘要： The invention relates to a silicone nitride based substrate for semi-conductor components, said substrate containing silicon nitride (Si3N4), silicon carbide (SiC) and silicon oxynitride (Si2N2O) as crystalline phases. The silicon phase content is ≤ 5 %, the shrinkage during production is

公开(公告)号：EP1931605A1

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：EP06815386.5

申请日：2006-09-25

申请人： H.C. Starck Inc. ,  H.C. Starck Ceramics GmbH & Co. KG

发明人： KUMAR, Prabhat ,  WOETTING, Gerhard ,  WU, Rong-chein, Richard

IPC分类号： C04B35/01 ,  C04B35/457 ,  C04B35/453 ,  C04B35/117 ,  C04B35/495 ,  C23C14/08

CPC分类号： C23C14/28 ,  C04B35/01 ,  C04B35/111 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B35/495 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/0021 ,  C23C14/086

摘要： The present invention is directed to a composition consisting essentially of: a) from about 0.1 to about 60 mole % of MoO2, b) from 0 to about 99.9 mole % of In2O3, c) from 0 to about 99.9 mole % of SnO2, d) from 0 to about 99.9 mole % of ZnO, e) from O to about 99.9 mole % of AI2O3, f) from O to about 99.9 mole % of Ga2O3, wherein the sum of components b) through f) is from about 40 to about 99.9 mole %, and wherein the mole %s are based on the total product and wherein the sum of components a) through e) is 100. The invention is also directed to the sintered product of such composition, a sputtering target made from the sintered product and a transparent electroconductive film made from the composition.

公开(公告)号：EP1529021A1

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：EP03784062.6

申请日：2003-07-24

申请人： H.C. Starck Ceramics GmbH & Co. KG

发明人： WÖTTING, Gerhard ,  CASPERS, Bernhard ,  HENNICKE, Jürgen ,  THOMA, Hans-Jürgen ,  FRASSEK, Lutz

IPC分类号： C04B35/593 ,  C04B35/486 ,  F16C33/30

CPC分类号： C04B35/597 ,  C04B35/488 ,  C04B35/5755 ,  C04B35/584 ,  C04B35/5935 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/63 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/634 ,  C04B35/63416 ,  C04B35/63488 ,  C04B35/64 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3804 ,  C04B2235/3813 ,  C04B2235/3817 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3869 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/766 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/78 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/96 ,  F16C33/32

摘要： A highly shock-resistant ceramic material, especially based on Si3N4 or ZrO2, having a hardness HV10 of a maximum of 15.5 GPa and an E module at room temperature of less than 330 Gpa. The material contains 0.2 - 5 wt. % carbon particles having a maximum particle size of 5 µm. The invention also relates to a method for the production of a ceramic material and the use thereof, especially as roller bodies in bearings.

公开(公告)号：EP2344297A1

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：EP09736139.8

申请日：2009-10-06

申请人： H.C. Starck Ceramics GmbH & Co. KG

发明人： SVEC, Michael ,  BUCHNER, Karl-Hermann ,  BALDUS, Hans-Peter ,  EILING, Aloys ,  RYAN, James

IPC分类号： B23K35/02 ,  B23K35/30 ,  B23K35/36 ,  B22F1/00 ,  C08K3/14 ,  C23C24/10 ,  B22F7/06 ,  B22F1/02

CPC分类号： C23C24/103 ,  B22F1/025 ,  B23K35/262 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3033 ,  B23K35/3046 ,  B23K35/327 ,  B23K35/3613 ,  C22C29/06 ,  C22C29/14 ,  C22C32/0047 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/12028

摘要： The present application relates to wear-resistant films containing hard material particles having a metal casing, and solder material particles selected from the group of soft solders, hard solders, or high-temperature solders, to the use of the wear-resistant films, and to a method for the production thereof by means of film casting method.

公开(公告)号：EP2272810A2

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：EP10179348.7

申请日：2001-11-22

申请人： H.C. Starck Ceramics GmbH & Co. KG

发明人： Wötting, Gerhard ,  Woditsch, Peter ,  Häßller, Christian ,  Stolwerck, Gunther

IPC分类号： C04B35/589 ,  C04B35/591 ,  C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

CPC分类号： C04B41/009 ,  C04B35/589 ,  C04B35/591 ,  C04B35/5935 ,  C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  C04B2111/00844 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  C04B41/4531 ,  C04B41/5035 ,  C04B41/5066 ,  C04B41/524 ,  C04B41/0072 ,  C04B41/5096 ,  C04B41/5353 ,  C04B41/4529 ,  C04B41/5011 ,  C04B41/5041 ,  C04B35/584

摘要： Substrat auf Basis von Siliciumnitrid für Halbleiter-Bauelemente, wobei das Substrat als kristalline Phasen Siliciumnitrid (Si 3 N 4 ), Siliciumcarbid (SiC) und Siliciumoxynitrid (Si 2 N 2 O) enthält und der Phasenbestand an Silicium ≤ 5%, die Schwindung bei der Herstellung

摘要翻译： 基板含有氮化硅，碳化硅和氮氧化硅作为结晶相，结晶硅量不大于5％，制造过程中的收缩小于5％，开放孔隙率小于15％。 还包括用于生产基材的独立权利要求，其包括将起始混合物，压制成型，流延浇铸，热压，挤出或箔铸造，惰性气氛中交联，热解，氮化和任选烧结进行密集混合。 优选特征：基底由硅，铝，钛，锆，铪，钒，铌，钽，铬，钼，钨，锰和/或铁的碳化物，氮化物，碳氮化物，氧氮化物，硅化物和/或硼化物制成。 基材含有由二氧化硅，碱土金属氧化物，IIIB和IVB族氧化物制成的少于20重量％的烧结助剂，以及钒，铌，钽，铬，钼，钨，锰，铁，钙和/或镍的氧化物 或与B 2 O 3，Al 2 O 3和/或TiO 2组合。

公开(公告)号：EP1529021B1

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：EP03784062.6

申请日：2003-07-24

申请人： H.C. Starck Ceramics GmbH & Co. KG

发明人： WÖTTING, Gerhard ,  CASPERS, Bernhard ,  HENNICKE, Jürgen ,  THOMA, Hans-Jürgen ,  FRASSEK, Lutz

IPC分类号： C04B35/593 ,  C04B35/486 ,  F16C33/30

CPC分类号： C04B35/597 ,  C04B35/488 ,  C04B35/5755 ,  C04B35/584 ,  C04B35/5935 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/63 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/634 ,  C04B35/63416 ,  C04B35/63488 ,  C04B35/64 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3804 ,  C04B2235/3813 ,  C04B2235/3817 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3869 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/766 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/78 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/96 ,  F16C33/32

摘要： A highly shock-resistant ceramic material, especially based on Si3N4 or ZrO2, having a hardness HV10 of a maximum of 15.5 GPa and an E module at room temperature of less than 330 Gpa. The material contains 0.2 - 5 wt. % carbon particles having a maximum particle size of 5 µm. The invention also relates to a method for the production of a ceramic material and the use thereof, especially as roller bodies in bearings.