发明授权
- 专利标题： PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT NOTAMMENT POUR L'OPTIQUE, L'ELECTRONIQUE OU L'OPTOELECTRONIQUE ET SUBSTRAT OBTENU PAR CE PROCEDE
- 专利标题（英）： Method for making a substrate in particular for optics, electronics or optoelectronics and resulting substrate
- 专利标题（中）： 方法制备基片特别是用于光学，电子或光电子和所得的衬底
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申请号： EP01997835.2申请日： 2001-11-26
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公开(公告)号： EP1344246B1公开(公告)日： 2007-01-24
- 发明人: LETERTRE, Fabrice , GHYSELEN, Bruno
- 申请人： S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
- 申请人地址： Parc Technologique des Fontaines, Chemin des Franques 38190 Bernin FR
- 专利权人： S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
- 当前专利权人： S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
- 当前专利权人地址： Parc Technologique des Fontaines, Chemin des Franques 38190 Bernin FR
- 代理机构： Texier, Christian
- 优先权： FR0015279 20001127
- 国际公布： WO2002043112 20020530
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20
摘要：
The invention concerns a method for making substrates, in particular for optics, electronics or optoelectronics. The method comprises steps which consist in: transferring a seed layer (2) onto a support (12) by molecular adhesion at the bonding interface; epitaxial growth of a useful layer (16) on the seed layer, and applying stresses to produce removal of the formed assembly from the seed layer (2) and the useful layer (16) relative to the support (12) at the bonding interface.
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