发明公开
EP1351307A1 Procédé de commande d'un dispositif semi-conducteur
审中-公开
Verfahren zum Ansteuern eines Halbleiterbauteils
- 专利标题： Procédé de commande d'un dispositif semi-conducteur
- 专利标题（英）： Method of driving a semiconductor device
- 专利标题（中）： Verfahren zum Ansteuern eines Halbleiterbauteils
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申请号： EP02405247.4申请日： 2002-03-28
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公开(公告)号： EP1351307A1公开(公告)日： 2003-10-08
- 发明人: Fazan, Pierre , Okhonin, Serguei
- 申请人： Innovative Silicon SA , Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL)
- 申请人地址： PSE EPFL 1015 Lausanne CH
- 专利权人： Innovative Silicon SA,Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL)
- 当前专利权人： Innovative Silicon SA,Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL)
- 当前专利权人地址： PSE EPFL 1015 Lausanne CH
- 代理机构： Vinsome, Rex Martin
- 主分类号： H01L27/108
- IPC分类号： H01L27/108 ; G11C11/404
摘要：
L'invention concerne un procédé de commande d'un dispositif semiconducteur destiné à stocker une charge électrique formée d'un ensemble de particules (24) d'une polarité donnée, comportant un transistor à effet de champ qui comprend un corps (20) à l'intérieur duquel est stockée cette charge.
L'élimination de la charge stockée se fait par recombinaison, dans le corps (20), des particules stockées avec des particules de polarité inverse.
L'élimination de la charge stockée se fait par recombinaison, dans le corps (20), des particules stockées avec des particules de polarité inverse.
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