公开(公告)号：EP1271547A1

公开(公告)日：2003-01-02

申请号：EP01810587.4

申请日：2001-06-18

申请人： Innovative Silicon SA ,  Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL)

发明人： Fazan, Pierre ,  Okhonin, Serguei

IPC分类号： G11C11/404 ,  G11C11/403 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L27/10844 ,  G11C11/403 ,  G11C11/404 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/1203

摘要： Dispositif semi-conducteur comportant un substrat (13) muni d'une couche isolante (12) et, formé sur celle-ci, au moins un transistor (32) qui comprend une source (18), un drain (22), un corps (20) interposé entre la source et le drain, une grille (28) jouxtant ledit corps et un film diélectrique (26) interposé entre la grille (28) et le corps (20).
Ce dispositif comporte, en outre des moyens de commande (46) pour créer une charge électrique dans le corps (20) et des moyens de lecture (48) pour déterminer un paramètre fonction de cette charge.

摘要翻译： 在基板（13）上形成数据存储单元。 每个数据存储单元包括具有源极（18），漏极（22）和栅极（28）的场效应晶体管，以及布置在源极和漏极之间的用于存储在体内产生的电荷的主体。 体内的净电荷的大小可以通过施加到晶体管的输入信号来调节，并且可以通过在栅极和漏极以及源极和漏极之间施加电压来防止调节。 包括用于在半导体器件中存储数据的方法的独立权利要求

公开(公告)号：EP1355361A1

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：EP02405316.7

申请日：2002-04-18

申请人： Innovative Silicon SA ,  Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL)

发明人： Fazan, Pierre ,  Okhonin, Serguei

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/88

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10802 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7841 ,  H01L29/7881

摘要： L'invention concerne un procédé pour créer une charge électrique dans un transistor de type SOI, qui comprend une source (18), un drain (20), une grille (26) et un corps (22), et qui est formé sur un substrat comportant :

une couche isolante (14),
une première couche de matériau semi-conducteur (16) recouvrant la couche isolante (14) et dans laquelle sont constitués, par dopage, source (18), drain (20) et corps (22) dudit transistor, et
un film diélectrique (24) disposé entre la source (18) et le drain (20) et revêtu d'une couche conductrice formant la grille (26).

La charge est crée en appliquant à la source (18), au drain (20) et à la grille (26) des potentiels choisis de manière à obtenir un effet tunnel à la jonction du corps (22) et du drain (20).

摘要翻译： 该装置具有在绝缘层和源极和漏极包括（18,20）的区域，以限定主体（22）respectivement场效应晶体管的区域上设置的半导体层。 的能带改性单元修改所述主体区域的价带和导带，以增加也可以暂时存储在区域的电荷的量。 因此独立claimsoft包括用于控制半导体器件的方法。

公开(公告)号：EP1355357A1

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：EP02405315.9

申请日：2002-04-18

申请人： Innovative Silicon SA ,  Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL)

发明人： Fazan, Pierre ,  Okhonin, Serguei

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L27/12

CPC分类号： G11C11/404

摘要： L'invention concerne un dispositif semi-conducteur à mémoire, du type comportant des transistors SOI, formé sur un substrat comprenant :

une plaque de base (12) en matériau semi-conducteur,
une couche isolante (14) disposée sur la plaque de base,
une première couche de matériau semi-conducteur (16), recouvrant la couche isolante (14) et dans laquelle sont formés, par dopage, les sources (18), drains (20) et corps (22) desdits transistors,
un film diélectrique (24) disposé entre la source (18) et le drain (20) de chaque transistor et revêtu d'une couche conductrice formant la grille (26).

Selon l'invention, le dispositif comporte une deuxième couche de matériau semi-conducteur (38) fortement dopé disposée au moins localement en dessous de la première couche (16). Il est ainsi possible de former, dans le corps (22) des transistors, une zone neutre permettant le stockage de charges électriques, même dans des transistors de type FD-SOI.

摘要翻译： 在基板（13）上形成数据存储单元。 每个数据存储单元包括具有源极（18），漏极（22）和栅极（28）的场效应晶体管，以及布置在源极和漏极之间的用于存储在体内产生的电荷的主体。 体内的净电荷的大小可以通过施加到晶体管的输入信号来调节，并且可以通过在栅极和漏极以及源极和漏极之间施加电压来防止调节。 包括用于在半导体器件中存储数据的方法的独立权利要求

公开(公告)号：EP1351307A1

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：EP02405247.4

申请日：2002-03-28

申请人： Innovative Silicon SA ,  Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL)

发明人： Fazan, Pierre ,  Okhonin, Serguei

IPC分类号： H01L27/108 ,  G11C11/404

CPC分类号： H01L27/108 ,  G11C11/404 ,  H01L29/7841

摘要： L'invention concerne un procédé de commande d'un dispositif semiconducteur destiné à stocker une charge électrique formée d'un ensemble de particules (24) d'une polarité donnée, comportant un transistor à effet de champ qui comprend un corps (20) à l'intérieur duquel est stockée cette charge.
L'élimination de la charge stockée se fait par recombinaison, dans le corps (20), des particules stockées avec des particules de polarité inverse.

摘要翻译： 在基板（13）上形成数据存储单元。 每个数据存储单元包括具有源极（18），漏极（22）和栅极（28）的场效应晶体管，以及布置在源极和漏极之间的用于存储在体内产生的电荷的主体。 体内的净电荷的大小可以通过施加到晶体管的输入信号来调节，并且可以通过在栅极和漏极以及源极和漏极之间施加电压来防止调节。 包括用于在半导体器件中存储数据的方法的独立权利要求

公开(公告)号：EP1355317A1

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：EP02405314.2

申请日：2002-04-18

申请人： Newco (Société en formation) ,  Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL)

发明人： Fazan, Pierre ,  Okhonin, Serguei

IPC分类号： G11C11/404

CPC分类号： G11C11/406 ,  G11C11/404

摘要： L'invention concerne un dispositif de rafraîchissement d'un ensemble de cellules (10) susceptibles d'occuper l'un ou l'autre de deux états (« 0 », « 1 ») évoluant l'un vers l'autre en fonction du temps, caractérisé en ce qu'il comporte des moyens (22) pour agir simultanément sur toutes les cellules (10) par application d'un même signal de rafraîchissement ayant un effet différencié selon l'état de chaque cellule.

摘要翻译： 电池组件（10）刷新方法具有在所有电池上同时作用的机构（22）。 应用在每个单元状态之后具有差分效应的相同的刷新信号。