发明授权
- 专利标题： Thin film semiconductor memory and manufacture method therefor
- 专利标题（中）： 其制备薄膜半导体存储器和方法
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申请号： EP03252253.4申请日： 2003-04-09
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公开(公告)号： EP1355358B1公开(公告)日： 2013-03-13
- 发明人: Hayashi, Yutaka , Hasegawa, Hisashi, c/o Seiko Instruments Inc. , Yoshida, Yoshifumi, c/o Seiko Instruments Inc. , Osanai, Jun, c/o Seiko Instruments Inc.
- 申请人： Seiko Instruments Inc. , Hayashi, Yutaka
- 申请人地址： 8, Nakase 1-chome, Mihama-ku Chiba-shi, Chiba JP
- 专利权人： Seiko Instruments Inc.,Hayashi, Yutaka
- 当前专利权人： Seiko Instruments Inc.,Hayashi, Yutaka
- 当前专利权人地址： 8, Nakase 1-chome, Mihama-ku Chiba-shi, Chiba JP
- 代理机构： Sturt, Clifford Mark
- 优先权： JP2002108423 20020410; JP2002230397 20020807; JP2003086898 20030327
- 主分类号： H01L27/108
- IPC分类号： H01L27/108 ; H01L27/12 ; H01L21/84 ; H01L21/8242
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