发明授权
EP1436840B1 HALBLEITERSTRUKTUR MIT VERRINGERTER KAPAZITIVER KOPPLUNG ZWISCHEN BAUELEMENT
有权
具有减少电容之间的耦合COMPONENT半导体结构
- 专利标题： HALBLEITERSTRUKTUR MIT VERRINGERTER KAPAZITIVER KOPPLUNG ZWISCHEN BAUELEMENT
- 专利标题（英）： Semiconductor structure with reduced capacitive coupling between components
- 专利标题（中）： 具有减少电容之间的耦合COMPONENT半导体结构
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申请号： EP02774544.7申请日： 2002-08-30
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公开(公告)号： EP1436840B1公开(公告)日： 2005-12-21
- 发明人: BOECK, Josef , MEISTER, Thomas , SCHAEFER, Herbert , STENGL, Reinhard
- 申请人： Infineon Technologies AG
- 申请人地址： St.-Martin-Strasse 53 81669 München DE
- 专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人地址： St.-Martin-Strasse 53 81669 München DE
- 代理机构： Stöckeler, Ferdinand
- 优先权： DE10151203 20011017
- 国际公布： WO2003036724 20030501
- 主分类号： H01L27/082
- IPC分类号： H01L27/082
摘要：
The invention concerns a semiconductor structure comprising a substrate (10), a layer (18) for components arranged on one surface (12) of the substrate (10), a bipolar transistor (30a) and a semiconductor component (30b) which are arranged in the layer for components and an insulating layer (60, 62, 64, 66, 68) which is adjacent to the bipolar transistor (30a) and to the semiconductor component (30b), which completely fills an intermediate gap (102) separating the bipolar conductor (30a) from the semiconductor component (30b) and which has an electrically insulating material.
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