发明授权
- 专利标题： Temperature compensated resistive RAM (RRAM) circuit
- 专利标题（中）： 一个电阻器的温度补偿的具有RAM存储器单元
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申请号： EP04251390.3申请日： 2004-03-10
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公开(公告)号： EP1460637B1公开(公告)日： 2008-04-30
- 发明人: Hsu, Sheng Teng
- 申请人： Sharp Kabushiki Kaisha
- 申请人地址： 22-22 Nagaike-cho Abeno-ku Osaka 545-8522 JP
- 专利权人： Sharp Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人： Sharp Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人地址： 22-22 Nagaike-cho Abeno-ku Osaka 545-8522 JP
- 代理机构： Brown, Kenneth Richard
- 优先权： US384985 20030310
- 主分类号： G11C7/10
- IPC分类号： G11C7/10 ; G11C7/06 ; G11C11/14 ; G11C11/22 ; G11C11/34 ; G11C16/02
公开/授权文献
- EP1460637A1 Temperature compensated resistive RAM (RRAM) circuit 公开/授权日：2004-09-22
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