发明公开
EP1500146A1 PROCEDE DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS EN COUCHES MINCES A BASE DE COMPOSES I-III-VI sb 2 /sb , POUR APPLICATIONS PHOTOVOLTAIQUES
有权
用于生产薄膜半导体基于I-III-VI（2）的化合物，用于光伏应用
- 专利标题： PROCEDE DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS EN COUCHES MINCES A BASE DE COMPOSES I-III-VI sb 2 /sb , POUR APPLICATIONS PHOTOVOLTAIQUES
- 专利标题（英）： Method for making thin-film semiconductors based on i-iii-vi sb 2 /sb compounds, for photovoltaic applications
- 专利标题（中）： 用于生产薄膜半导体基于I-III-VI（2）的化合物，用于光伏应用
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申请号： EP03747464.0申请日： 2003-04-23
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公开(公告)号： EP1500146A1公开(公告)日： 2005-01-26
- 发明人: TAUNIER, Stéphane , KERREC, Olivier , MAHE, Michel , GUIMARD, Denis , BEN-FARAH, Mo[z , LINCOT, Daniel , GUILLEMOLES, Jean-François , GRAND, Pierre, Philippe , COWACHE, Pierre , VEDEL, Jacques
- 申请人： Electricité de France Service National , CENTRE NATIONAL DELA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)
- 申请人地址： 22-30, avenue de Wagram 75008 Paris FR
- 专利权人： Electricité de France Service National,CENTRE NATIONAL DELA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)
- 当前专利权人： Electricité de France Service National,CENTRE NATIONAL DELA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)
- 当前专利权人地址： 22-30, avenue de Wagram 75008 Paris FR
- 代理机构： Hassine, Albert
- 优先权： FR0205362 20020429
- 国际公布： WO2003094246 20031113
- 主分类号： H01L31/032
- IPC分类号： H01L31/032 ; H01L31/18
摘要：
The invention concerns a method for making thin-film CIGS which consists in: electrochemically depositing on a substrate a layer of stoichiometry close to CuInSe2; then rapidly annealing said layer from a light source with pulses of sufficient power to recrystallize CIS. Advantageously, the electrodeposited elements are premixed. Thus, after the deposition step, a homogeneous matrix is obtained which can support sudden temperature increases during the rapid annealing.
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