发明公开
EP1508164A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTES UND DANACH HERGESTELLTES HALBLEITERBAULELEMENT
审中-公开
方法的半导体元件再发HALBLEITERBAULELEMENT
- 专利标题： VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTES UND DANACH HERGESTELLTES HALBLEITERBAULELEMENT
- 专利标题（英）： Method for producing a semiconductor component, and semiconductor component produced by the same
- 专利标题（中）： 方法的半导体元件再发HALBLEITERBAULELEMENT
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申请号： EP03720479.9申请日： 2003-04-16
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公开(公告)号： EP1508164A1公开(公告)日： 2005-02-23
- 发明人: BEHAMMER, Dag
- 申请人： United Monolithic Semiconductors GmbH
- 申请人地址： Wilhelm-Runge Strasse 11 89081 Ulm DE
- 专利权人： United Monolithic Semiconductors GmbH
- 当前专利权人： United Monolithic Semiconductors GmbH
- 当前专利权人地址： Wilhelm-Runge Strasse 11 89081 Ulm DE
- 代理机构： Weber, Gerhard, Dipl.-Phys.
- 优先权： DE10220999 20020511; DE10304722 20030206
- 国际公布： WO2003096399 20031120
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L21/338
摘要：
The invention relates to a method for producing a gate head which can be precisely scaled and for reducing parasitic capacities, for a semiconductor component comprising an at least approximately T-shaped electrode.
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