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EP1552561B1 INTEGRIERTE SCHALTUNGSANORDNUNG MIT KONDENSATOREN UND MIT VORZUGSWEISE PLANAREN TRANSISTOREN UND HERSTELLUNGSVERFAHREN 有权
与电容和优选具有平面晶体管和方法集成电路

  • 专利标题： INTEGRIERTE SCHALTUNGSANORDNUNG MIT KONDENSATOREN UND MIT VORZUGSWEISE PLANAREN TRANSISTOREN UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
  • 专利标题（英）： Integrated circuit arrangement comprising capacitors and preferably planar transistors, and production method
  • 专利标题（中）： 与电容和优选具有平面晶体管和方法集成电路
  • 申请号： EP03757707.9
    申请日： 2003-10-10
  • 公开(公告)号： EP1552561B1
    公开(公告)日： 2009-12-09
  • 发明人: BREDERLOW, Ralf , HARTWICH, Jessica , PACHA, Christian , RÖSNER, Wolfgang , SCHULZ, Thomas
  • 申请人： Infineon Technologies AG
  • 申请人地址： St.-Martin-Strasse 53 81669 München DE
  • 专利权人： Infineon Technologies AG
  • 当前专利权人： Infineon Technologies AG
  • 当前专利权人地址： St.-Martin-Strasse 53 81669 München DE
  • 代理机构： Karl, Frank
  • 优先权： DE10248723 20021018
  • 国际公布： WO2004038802 20040506
  • 主分类号： H01L27/12
  • IPC分类号： H01L27/12 ;  H01L21/84
INTEGRIERTE SCHALTUNGSANORDNUNG MIT KONDENSATOREN UND MIT VORZUGSWEISE PLANAREN TRANSISTOREN UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
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