利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明公开
EP1580805A3 Procédé de préparation d'une couche de dioxide de silicium par oxidation à haute temperature sur un substrat présentant au moins en surface du germanium ou un alliage silicium-germanium 有权
在高温下在基板上通过氧化制备具有锗表面或与硅 - 锗表面的氧化硅膜的方法

Procédé de préparation d'une couche de dioxide de silicium par oxidation à haute temperature sur un substrat présentant au moins en surface du germanium ou un alliage silicium-germanium
摘要：
Procédé de préparation d'une couche de dioxyde de silicium, par oxydation à haute température, sur un substrat de formule Si 1-x Ge x , dans laquelle x est supérieur à 0 et inférieur ou égal à 1, ledit procédé comprenant les étapes successives suivantes :
a) on dépose sur ledit substrat de formule Si 1-x Ge x au moins une couche supplémentaire d'épaisseur h y et de formule globale Si 1-y Ge y dans laquelle y est supérieur à 0 et inférieur à x ;
b) on réalise l'oxydation à haute température de ladite couche supplémentaire de formule globale Si 1-y Ge y , moyennant quoi ladite couche supplémentaire est transformée en totalité ou en partie en une couche d'oxyde de silicium SiO 2 .
Procédé de préparation d'un composant optique ou électronique comprenant au moins une étape de préparation d'une couche de SiO 2 par le procédé décrit plus haut.
摘要（英）：

A process for preparing a layer of silicon dioxide by oxidation at high temperature on a substrate having the formula Si 1-x Ge x, wherein x is greater than 0 and less than or equal to 1, said method comprising the sequential steps following:
a) depositing on said substrate having the formula Si 1-x Ge x at least one additional layer of thickness h y and overall formula Si 1-y Ge y where y is greater than 0 and less than x;
b) carrying out the high temperature oxidation of said additional layer empirical formula Si 1-y Ge y, whereby said additional layer is converted in whole or in part by a silicon oxide layer SiO 2. A process for preparing an optical or electronic component comprising at least a step of preparing a layer of SiO 2 by the method described above.

公开/授权文献
信息查询
Global Dossier Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31 .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314 ......无机层（H01L21/3105，H01L21/32优先）
H01L21/316 .......由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层
0/0