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1.发明公开Procede de realisation d'un reflecteur optique a nanocristaux de semi-conducteur 审中-公开Verfahren zur Herstellung eines optischen Reflektors mit Halbleiternanokristallen
公开(公告)号：EP2562567A1
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：EP12181046.9
申请日：2012-08-20
发明人： Surana, Kavita , Baudrit, Mathieu , Mur, Pierre , Thony, Philippe
摘要： Procédé de réalisation d'un réflecteur optique (100) comportant un empilement alterné d'au moins une première couche (110) d'indice de réfraction complexe n 1 et d'au moins une deuxième couche (106) d'indice de réfraction complexe n 2 , dans lequel la première couche comporte des nanocristaux de semiconducteur (108), comportant les étapes de :
- calcul du nombre total de couches de l'empilement, des épaisseurs de chacune des couches et des valeurs des indices de réfraction complexes n 1 et n 2 à partir des caractéristiques d'une fenêtre spectrale de réflectivité souhaitée du réflecteur optique, comportant la mise en oeuvre d'une méthode de calcul de matrices de transfert optique ;
- calcul de paramètres de dépôt et de recuit des couches à partir du nombre total de couches, des épaisseurs des couches et des valeurs des indices de réfraction complexes n 1 et n 2 précédemment calculés ;
- dépôt et recuit des couches conformément aux paramètres précédemment calculés.摘要翻译： 该方法包括基于光反射器（100）的期望的光谱反射率窗口的特性来计算堆叠的层数（106,110）的总数，堆叠的每个层的厚度和复折射率的值， 使用光传输矩阵计算方法。 基于层的总数，厚度和值计算层之一和第三层的沉积和退火参数。 堆叠的层和第三层根据参数进行沉积和退火。 还包括用于制造光伏电池的方法的独立权利要求。
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2.发明授权Procédé de réalisation d'une structure dotée d'au moins une zone d'un ou plusieurs nanocristaux semi-conducteurs localisée avec précision 有权制造具有多个半导体纳米晶体之一的至少一个位置精确区或结构的方法
公开(公告)号：EP1619277B1
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：EP05106613.2
申请日：2005-07-19
CPC分类号： C30B29/60 , B82Y10/00 , H01L29/66439 , H01L29/7613 , Y10S438/962
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3.发明公开
公开(公告)号：EP1580805A3
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：EP05102319.0
申请日：2005-03-23
发明人： Moriceau, Hubert , Mur, Pierre
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/20 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/31658 , H01L21/02164 , H01L21/02236 , H01L21/02255 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02664
摘要： Procédé de préparation d'une couche de dioxyde de silicium, par oxydation à haute température, sur un substrat de formule Si 1-x Ge x , dans laquelle x est supérieur à 0 et inférieur ou égal à 1, ledit procédé comprenant les étapes successives suivantes :
a) on dépose sur ledit substrat de formule Si 1-x Ge x au moins une couche supplémentaire d'épaisseur h y et de formule globale Si 1-y Ge y dans laquelle y est supérieur à 0 et inférieur à x ;
b) on réalise l'oxydation à haute température de ladite couche supplémentaire de formule globale Si 1-y Ge y , moyennant quoi ladite couche supplémentaire est transformée en totalité ou en partie en une couche d'oxyde de silicium SiO 2 .
Procédé de préparation d'un composant optique ou électronique comprenant au moins une étape de préparation d'une couche de SiO 2 par le procédé décrit plus haut.-
4.发明授权
公开(公告)号：EP1580805B1
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：EP05102319.0
申请日：2005-03-23
发明人： Moriceau, Hubert , Mur, Pierre
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/316 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/31658 , H01L21/02164 , H01L21/02236 , H01L21/02255 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02664
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