发明公开
- 专利标题： NARROW FIN FINFET
- 专利标题（中）： 鳍式场效狭窄的礁
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申请号： EP04702507.7申请日： 2004-01-15
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公开(公告)号： EP1588422A1公开(公告)日： 2005-10-26
- 发明人: KRIVOKAPIC, Zoran , AN, Judy, Xilin , DAKSHINA-MURTHY, Srikanteswara , WANG, Haihong , YU, Bin
- 申请人： ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
- 申请人地址： One AMD Place, Mail Stop 68, P.O. Box 3453 Sunnyvale,California 94088-3453 US
- 专利权人： ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
- 当前专利权人： ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
- 当前专利权人地址： One AMD Place, Mail Stop 68, P.O. Box 3453 Sunnyvale,California 94088-3453 US
- 代理机构： Wright, Hugh Ronald
- 优先权： US348910 20030123
- 国际公布： WO2004068589 20040812
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L21/336 ; H01L29/423
摘要：
A narrow channel FinFET is described herein with a channel width of less than 6 nm. The FinFET may include a fin (140) in which the channel area is trimmed using a NH4OH etch or a reactive ion etch (RIE).
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