发明公开
- 专利标题： STRAINED CHANNEL FINFET
- 专利标题（中）： FINFET MIT GESPANNTEM KANAL
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申请号： EP04702513.5申请日： 2004-01-15
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公开(公告)号： EP1593161A1公开(公告)日： 2005-11-09
- 发明人: DAKSHINA-MURTHY, Srikanteswara , AN, Judy, Xilin , KRIVOKAPIC, Zoran , WANG, Haihong , YU, Bin
- 申请人： ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
- 申请人地址： One AMD Place, P.O. Box 3453 Sunnyvale,California 94088-3453 US
- 专利权人： ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
- 当前专利权人： ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
- 当前专利权人地址： One AMD Place, P.O. Box 3453 Sunnyvale,California 94088-3453 US
- 代理机构： Wright, Hugh Ronald
- 优先权： US349042 20030123
- 国际公布： WO2004068585 20040812
- 主分类号： H01L29/10
- IPC分类号： H01L29/10 ; H01L29/786 ; H01L21/336
摘要：
A semiconductor device includes a fin and a layer formed on at least a portion of the fin. The fin includes a first crystalline material. The layer includes a second crystalline material, where the first crystalline material has a larger lattice constant than the second crystalline material to induce tensile strain within the layer.
公开/授权文献
- EP1593161B1 STRAINED CHANNEL FINFET 公开/授权日：2019-04-24
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