发明授权
- 专利标题： Procédé de réalisation d'une structure dotée d'au moins une zone d'un ou plusieurs nanocristaux semi-conducteurs localisée avec précision
- 专利标题（英）： Process for making a structure having at least one precisely positioned zone of one or several semiconductor nanocrystals
- 专利标题（中）： 制造具有多个半导体纳米晶体之一的至少一个位置精确区或结构的方法
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申请号： EP05106613.2申请日： 2005-07-19
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公开(公告)号： EP1619277B1公开(公告)日： 2011-04-13
- 发明人: Vinet, Maud , Barbe, Jean-Charles , Mur, Pierre , De Crecy, François
- 申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
- 申请人地址： Bâtiment "Le Ponant D" 25, rue Leblanc 75015 Paris FR
- 专利权人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
- 当前专利权人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
- 当前专利权人地址： Bâtiment "Le Ponant D" 25, rue Leblanc 75015 Paris FR
- 代理机构： Poulin, Gérard
- 优先权： FR0451589 20040720
- 主分类号： C30B29/60
- IPC分类号： C30B29/60 ; H01L29/76
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