发明公开
- 专利标题： QUANTENTOPFSTRUKTUR
- 专利标题（英）： Quantum well structure
- 专利标题（中）： 量子阱结构
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申请号： EP04739806.0申请日： 2004-06-11
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公开(公告)号： EP1649521A1公开(公告)日： 2006-04-26
- 发明人: MASSELINK, William, Ted , SEMTSIV, Mykhaylo, Petrovych
- 申请人： Humboldt-Universität zu Berlin
- 申请人地址： Unter den Linden 6 D-10099 Berlin DE
- 专利权人： Humboldt-Universität zu Berlin
- 当前专利权人： Humboldt-Universität zu Berlin
- 当前专利权人地址： Unter den Linden 6 D-10099 Berlin DE
- 代理机构： Theobald, Andreas
- 优先权： DE10335443 20030731
- 国际公布： WO2005022651 20050310
- 主分类号： H01L31/0352
- IPC分类号： H01L31/0352 ; H01S5/34 ; H01L29/12
摘要：
The invention relates to a quantum well structure comprising a quantum well layer (107) arranged between two barrier layers (109, 112). Said quantum well structure is characterised in that at least one of the barrier layers (109) has nanostructures (110) that compensate or modulate a lateral homogeneity of the barrier layer (109), that exists without the nanostructures (110), i.e. a homogeneity in the directions extending perpendicularly to the stack direction of the layers in the quantum well structure.
公开/授权文献
- EP1649521B1 QUANTENTOPFSTRUKTUR 公开/授权日：2012-12-19
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