发明公开
- 专利标题： Cellule mémoire SRAM
- 专利标题（英）： SRAM memory cell
- 专利标题（中）： SRAM存储单元
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申请号： EP05112232.3申请日： 2005-12-15
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公开(公告)号： EP1672643A1公开(公告)日： 2006-06-21
- 发明人: Borot, Bertrand , Coronel, Philippe
- 申请人： STMicroelectronics ( Crolles 2) SAS
- 申请人地址： 850, rue Jean Monnet 38920 Crolles FR
- 专利权人： STMicroelectronics ( Crolles 2) SAS
- 当前专利权人： STMicroelectronics ( Crolles 2) SAS
- 当前专利权人地址： 850, rue Jean Monnet 38920 Crolles FR
- 代理机构： de Beaumont, Michel
- 优先权： FR0453012 20041216
- 主分类号： G11C11/412
- IPC分类号： G11C11/412 ; H01L27/11
摘要：
L'invention concerne un procédé de formation d'une résistance (R3, R5) de forte valeur dans un substrat (40), comportant les étapes suivantes :
former un empilement d'une première couche isolante (42), d'une première couche conductrice (44), d'une deuxième couche isolante (46), et d'une troisième couche isolante (48), la troisième couche isolante étant gravable sélectivement par rapport à la deuxième couche isolante ;
graver l'empilement, de façon à découvrir le substrat en conservant l'empilement sous la forme d'une ligne (Li) ;
former sur les parois latérales de la ligne des espaceurs isolants (50) ;
procéder à une croissance épitaxiale d'un semi-conducteur monocristallin (41) sur le substrat, de part et d'autre de ladite ligne ;
retirer sélectivement la troisième couche isolante (48) de façon à découvrir la deuxième couche isolante (46) ; et
déposer et graver un conducteur (M3) de façon à remplir la cavité formée par le retrait précédent.
former un empilement d'une première couche isolante (42), d'une première couche conductrice (44), d'une deuxième couche isolante (46), et d'une troisième couche isolante (48), la troisième couche isolante étant gravable sélectivement par rapport à la deuxième couche isolante ;
graver l'empilement, de façon à découvrir le substrat en conservant l'empilement sous la forme d'une ligne (Li) ;
former sur les parois latérales de la ligne des espaceurs isolants (50) ;
procéder à une croissance épitaxiale d'un semi-conducteur monocristallin (41) sur le substrat, de part et d'autre de ladite ligne ;
retirer sélectivement la troisième couche isolante (48) de façon à découvrir la deuxième couche isolante (46) ; et
déposer et graver un conducteur (M3) de façon à remplir la cavité formée par le retrait précédent.
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