发明授权
- 专利标题： TRENCH INSULATED GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR
- 专利标题（中）： 具有隔离沟槽栅场效应晶体管
-
申请号： EP04799251.6申请日： 2004-11-26
-
公开(公告)号： EP1692725B1公开(公告)日： 2008-03-05
- 发明人: HUETING, Raymond, J., E.
- 申请人： NXP B.V.
- 申请人地址： High Tech Campus 60 5656 AG Eindhoven NL
- 专利权人： NXP B.V.
- 当前专利权人： NXP B.V.
- 当前专利权人地址： High Tech Campus 60 5656 AG Eindhoven NL
- 代理机构： White, Andrew Gordon
- 优先权： GB0327791 20031129
- 国际公布： WO2005053031 20050609
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/10 ; H01L29/41 ; H01L29/423
摘要：
The invention relates to a trench MOSFET with drain (8), sub-channel region (10) body (12) and source (14). The sub-channel region is doped to be the same conductivity type as the body (12), but of lower doping density. A field plate electrode (34) is provided adjacent to the sub-channel region (10) 10 and a gate electrode (32) next to the body (12).
公开/授权文献
- EP1692725A2 TRENCH INSULATED GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR 公开/授权日：2006-08-23
信息查询
IPC分类:
