Pour réaliser un transistor MOS sur un substrat en silicium (SOI) placé sur une couche d'oxyde enterré (BOX), le transistor étant réalisé dans une zone active du substrat délimitée par une région isolante, on forme la région isolante, on réalise une région de grille et des régions de source et de drain qui délimitent entre elles un canal de sorte que la région de grille s'étende au-dessus du canal.
La région isolante est réalisée en procédant à une formation localisée d'une zone en matériau apte à être gravé sélectivement par rapport au silicium, en gravant sélectivement ledit matériau, et en déposant un matériau diélectrique à l'endroit de la gravure.
En outre, la gravure est réalisée postérieurement à la réalisation de la région de grille.