发明授权
- 专利标题： METHOD OF MANUFACTURING A SILICON DIOXIDE LAYER
- 专利标题（中）： 制造二氧化硅层的方法
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申请号： EP04765971.9申请日： 2004-09-16
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公开(公告)号： EP1789999B1公开(公告)日： 2017-06-07
- 发明人: BOURDELLE, Konstantin , DAVAL, Nicolas , CAYREFOURCQ, Ian , VAN AERDE, Steven, R., A. , DE BLANK, Marinus, J. , VAN DER JEUGD, Cornelius, A.
- 申请人： Soitec , ASM INTERNATIONAL N.V.
- 申请人地址： Parc Technologique des Fontaines Chemin des Franques 38190 Bernin FR
- 专利权人： Soitec,ASM INTERNATIONAL N.V.
- 当前专利权人： Soitec,ASM INTERNATIONAL N.V.
- 当前专利权人地址： Parc Technologique des Fontaines Chemin des Franques 38190 Bernin FR
- 代理机构： Regimbeau
- 国际公布： WO2006029651 20060323
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; C23C16/40 ; H01L21/316
公开/授权文献
- EP1789999A1 METHOD OF MANUFACTURING A SILICON DIOXIDE LAYER 公开/授权日：2007-05-30
信息查询
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