发明授权
EP1811065B1 Use of a single crystal silicon wafer for insulated gate bipolar transistors
有权
使用单晶硅晶片的用于与绝缘栅双极晶体管
- 专利标题： Use of a single crystal silicon wafer for insulated gate bipolar transistors
- 专利标题（中）： 使用单晶硅晶片的用于与绝缘栅双极晶体管
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申请号： EP07000774.5申请日： 2007-01-16
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公开(公告)号： EP1811065B1公开(公告)日： 2017-03-29
- 发明人: Umeno, Shigeru
- 申请人： SUMCO CORPORATION
- 申请人地址： 2-1, Shibaura 1-chome Minato-ku, Tokyo JP
- 专利权人： SUMCO CORPORATION
- 当前专利权人： SUMCO CORPORATION
- 当前专利权人地址： 2-1, Shibaura 1-chome Minato-ku, Tokyo JP
- 代理机构： Banzer, Hans-Jörg
- 优先权： JP2006010756 20060119
- 主分类号： C30B15/04
- IPC分类号： C30B15/04 ; C30B15/30 ; H01L21/322 ; H01L21/06 ; H01L29/66 ; C30B29/06 ; C30B31/20 ; C30B33/04 ; H01L29/06 ; H01L29/739
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