发明授权
- 专利标题： Substrate having thin film of GaN joined thereon and method of fabricating the same
- 专利标题（中）： 衬底施加在其上的GaN薄膜及其制造方法
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申请号： EP07011175.2申请日： 2007-06-06
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公开(公告)号： EP1873817B1公开(公告)日： 2013-08-14
- 发明人: Kasai, Hitoshi , Hachigo, Akihiro , Miura, Yoshiki , Akita, Katsushi
- 申请人： Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- 申请人地址： 5-33 Kitahama 4-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 541-0041 JP
- 专利权人： Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- 当前专利权人： Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- 当前专利权人地址： 5-33 Kitahama 4-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 541-0041 JP
- 代理机构： Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser
- 优先权： JP2006182118 20060630
- 主分类号： H01L21/18
- IPC分类号： H01L21/18 ; H01L33/00 ; H01L21/762
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