发明公开
EP1874986A1 CONTROLLED GROWTH OF A NANOSTRUCTURE ON A SUBSTRATE, AND ELECTRON EMISSION DEVICES BASED ON THE SAME
有权
在基底上，应根据电子发射器件的纳米结构的控制生长
- 专利标题： CONTROLLED GROWTH OF A NANOSTRUCTURE ON A SUBSTRATE, AND ELECTRON EMISSION DEVICES BASED ON THE SAME
- 专利标题（中）： 在基底上，应根据电子发射器件的纳米结构的控制生长
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申请号： EP06733343.5申请日： 2006-04-25
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公开(公告)号： EP1874986A1公开(公告)日： 2008-01-09
- 发明人: KABIR, Mohammad, Shafiqul
- 申请人： Smoltek AB
- 申请人地址： Stena Center 1D 412 92 Göteborg SE
- 专利权人： Smoltek AB
- 当前专利权人： Smoltek AB
- 当前专利权人地址： Stena Center 1D 412 92 Göteborg SE
- 代理机构： Janson, Ronny
- 优先权： SE0500926 20050425; SE0501888 20050826; US772449P 20060210
- 国际公布： WO2006115453 20061102
- 主分类号： D01F9/127
- IPC分类号： D01F9/127 ; D01F9/08 ; H01J37/30 ; H01J1/304 ; H01L21/02
摘要：
The present invention provides a method for nanostructures grown on a metal underlayer, and a method of making the same. The grown nanostructures based on the claimed method are suitable for manufacturing electronic devices such as an electron beam writer, and a field emission display.
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