发明授权
- 专利标题： METHOD OF GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL
- 专利标题（中）： 用于生产硅
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申请号： EP05811258.2申请日： 2005-12-01
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公开(公告)号： EP1897977B1公开(公告)日： 2015-01-21
- 发明人: INAMI, Shuichi c/o SUMCO CORPORATION , TAKASE, Nobumitsu c/o SUMCO CORPORATION , KOGURE, Yasuhiro c/o SUMCO CORPORATION , HAMADA, Ken c/o SUMCO CORPORATION , NAKAMURA, Tsuyoshi c/o SUMCO CORPORATION
- 申请人： SUMCO Corporation
- 申请人地址： 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 105-8634 JP
- 专利权人： SUMCO Corporation
- 当前专利权人： SUMCO Corporation
- 当前专利权人地址： 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 105-8634 JP
- 代理机构： Bertsch, Florian Oliver
- 优先权： JP2005179995 20050620
- 国际公布： WO2006137179 20061228
- 主分类号： C30B29/06
- IPC分类号： C30B29/06 ; C30B15/00 ; C30B15/04 ; C30B15/14
公开/授权文献
- EP1897977A1 METHOD OF GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL 公开/授权日：2008-03-12
信息查询
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