公开(公告)号：EP1897977A1

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：EP05811258.2

申请日：2005-12-01

申请人： SUMCO Corporation

发明人： INAMI, Shuichi c/o SUMCO CORPORATION ,  TAKASE, Nobumitsu c/o SUMCO CORPORATION ,  KOGURE, Yasuhiro c/o SUMCO CORPORATION ,  HAMADA, Ken c/o SUMCO CORPORATION ,  NAKAMURA, Tsuyoshi c/o SUMCO CORPORATION

IPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/00

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/04 ,  C30B15/14

摘要： The invention relates to a method for growing a silicon single crystal. During the crystal growth, a thermal stress is applied to at least a portion of the silicon single crystal. A mixed gas of an inert gas and a gaseous substance containing hydrogen atoms is used as an atmospheric gas for growing the crystal.

摘要翻译： 本发明涉及一种生长硅单晶的方法。 在晶体生长期间，将热应力施加到至少一部分硅单晶。 使用惰性气体和含有氢原子的气态物质的混合气体作为用于生长晶体的气氛气体。

公开(公告)号：EP1897977B1

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：EP05811258.2

申请日：2005-12-01

申请人： SUMCO Corporation

发明人： INAMI, Shuichi c/o SUMCO CORPORATION ,  TAKASE, Nobumitsu c/o SUMCO CORPORATION ,  KOGURE, Yasuhiro c/o SUMCO CORPORATION ,  HAMADA, Ken c/o SUMCO CORPORATION ,  NAKAMURA, Tsuyoshi c/o SUMCO CORPORATION

IPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/00 ,  C30B15/04 ,  C30B15/14

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/04 ,  C30B15/14