发明公开
- 专利标题： ATOMIC LAYER DEPOSITION OF RUTHENIUM-CONTAINING FILMS USING SURFACE-ACTIVATING AGENTS AND SELECTED RUTHENIUM COMPLEXES
- 专利标题（中）： ATOM管理存放率含钌薄膜中表面活化剂和选定的钌
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申请号： EP06789514.4申请日： 2006-08-07
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公开(公告)号： EP1913174A1公开(公告)日： 2008-04-23
- 发明人: THOMPSON, Jeffery, Scott
- 申请人： E.I. du Pont de Nemours and Company
- 申请人地址： 1007 Market Street Wilmington, DE 19898 US
- 专利权人： E.I. du Pont de Nemours and Company
- 当前专利权人： E.I. du Pont de Nemours and Company
- 当前专利权人地址： 1007 Market Street Wilmington, DE 19898 US
- 代理机构： Towler, Philip Dean
- 优先权： US706493P 20050808
- 国际公布： WO2007019437 20070215
- 主分类号： C23C16/455
- IPC分类号： C23C16/455 ; C23C16/18
摘要：
This invention is directed to processes for the formation of ruthenium-containing films on surfaces in atomic layer deposition (ALD) processes using surface-activating agents, and to ruthenium complexes that can be used as ruthenium precursors in these processes.
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