发明授权
EP1983070B1 Method to fabricate a molybdenum oxide layer for a semiconductor device
有权
一种生产用于半导体钼氧化物层的方法
- 专利标题： Method to fabricate a molybdenum oxide layer for a semiconductor device
- 专利标题（中）： 一种生产用于半导体钼氧化物层的方法
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申请号： EP08014153.4申请日： 2005-10-26
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公开(公告)号： EP1983070B1公开(公告)日： 2014-08-13
- 发明人: Katoda, Takashi
- 申请人： Katoda, Takashi
- 申请人地址： 4804-83, Ikku Kochi-shi, Kochi 780-8130 JP
- 专利权人： Katoda, Takashi
- 当前专利权人： Katoda, Takashi
- 当前专利权人地址： 4804-83, Ikku Kochi-shi, Kochi 780-8130 JP
- 代理机构： Busch, Thomas
- 优先权： JP2004310331 20041026
- 主分类号： C23C14/08
- IPC分类号： C23C14/08 ; C30B25/18 ; C23C8/10 ; H01L21/02 ; C30B29/16
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