发明授权
EP2015310B1 Methods for identifying non-volatile memory elements with poor subthreshold slope or weak transconductance
有权
一种用于识别具有差的或弱跨导非易失性存储元件的方法Subschwellensteigung
- 专利标题： Methods for identifying non-volatile memory elements with poor subthreshold slope or weak transconductance
- 专利标题（中）： 一种用于识别具有差的或弱跨导非易失性存储元件的方法Subschwellensteigung
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申请号： EP08004345.8申请日： 2004-09-16
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公开(公告)号： EP2015310B1公开(公告)日： 2011-11-09
- 发明人: Lutze, Jeffrey , Chen, Jian , Li, Yan , Kanebako, Kazunori , Tanaka, Tomoharu
- 申请人： SanDisk Corporation , Kabushiki Kaisha Toshiba
- 申请人地址： 601 McCarthy Boulevard Milpitas, CA 95035 US
- 专利权人： SanDisk Corporation,Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人： SanDisk Corporation,Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人地址： 601 McCarthy Boulevard Milpitas, CA 95035 US
- 代理机构： Hitchcock, Esmond Antony
- 优先权： US665685 20030917
- 主分类号： G11C16/34
- IPC分类号： G11C16/34 ; G11C29/00
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