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EP2028686A1 Verfahren zum galvanischen Aufbringen eines Metalls, insbesondere von Kupfer, und Verwendung dieses Verfahrens 有权
一种用于电沉积的金属，特别是铜，和使用该方法的方法

  • 专利标题： Verfahren zum galvanischen Aufbringen eines Metalls, insbesondere von Kupfer, und Verwendung dieses Verfahrens
  • 专利标题（英）： Method for electrodepositing a metal, especially copper, and use of said method
  • 专利标题（中）： 一种用于电沉积的金属，特别是铜，和使用该方法的方法
  • 申请号： EP08167849.2
    申请日： 2003-11-20
  • 公开(公告)号： EP2028686A1
    公开(公告)日： 2009-02-25
  • 发明人: Bradl, Stephan , Kerkel, Klaus , Lindner, Christine
  • 申请人： Infineon Technologies AG
  • 申请人地址： Am Campeon 1-12 85579 Neubiberg DE
  • 专利权人： Infineon Technologies AG
  • 当前专利权人： Infineon Technologies AG
  • 当前专利权人地址： Am Campeon 1-12 85579 Neubiberg DE
  • 代理机构： Karl, Frank
  • 优先权： DE10254815 20021123
  • 主分类号： H01L21/768
  • IPC分类号： H01L21/768
Verfahren zum galvanischen Aufbringen eines Metalls, insbesondere von Kupfer, und Verwendung dieses Verfahrens
摘要：
Erläutert wird unter anderem ein Verfahren, bei dem ein Kontaktloch (18) zu einer Leitbahn (14) in einer Isolierschicht (16) hergestellt wird. Anschließend wird eine Barriereschicht (20) aufgebracht. Danach wird eine Fotolackschicht (30) aufgebracht, bestrahlt und entwickelt. Mit Hilfe eines galvanischen Verfahrens wird danach ein Kupferkontakt (32) in dem Kontaktloch (18) erzeugt. Entweder dient die Barriereschicht (20) oder eine zusätzliche Grenzelektrodenschicht (22) als Grenzelektrode in dem galvanischen Prozess. Kritische Metallkontaminationen werden durch dieses Verfahren in der Fertigung gering gehalten.
摘要（中）：

施加金属，特别是铜或铜合金，包括形成朝向一个集成的开关装置（10）的绝缘层（16）的带状导体（14）的接触孔，形成接触层之后施加的阻挡层（20）， 施加金属（32），或使用电镀工艺的金属合金。 阻挡层充当用于施加金属或金属合金的电镀工艺的边界电极。 边界电极层（22）除了所述阻挡层的辐射敏感层被施加之前施加。 因此独立claimsoft被包括在用于施加金属替代方法。

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