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1.发明公开
公开(公告)号：EP1182779A3
公开(公告)日：2003-01-02
申请号：EP01117136.0
申请日：2001-07-13
发明人： Bradl, Stephan , Gehring, Oliver , Heitzsch, Olaf
IPC分类号： H03K19/173 , G11C16/04
CPC分类号： G11C27/005
摘要： Die Erfindung betrifft das Einstellen der elektrischen Eigenschaften einer mikroelektronischen Schaltungsanordnung (5) mit zumindest einer analogen elektronischen Einheit (11, 12, 13). In einem Konfigurationsschritt wird die analoge Einheit (11, 12, 13) durch Zuführen und/oder Abführen elektrischer Ladung in einen Zustand versetzt, der analoge elektrische Eigenschaften der Einheit dauerhaft bestimmt. Insbesondere wird dabei das Floating Gate einer EEPROM-Zelle auf einen frei wählbaren innerhalb eines kontinuierlichen Bereichs liegenden Ladungswert aufgeladen.
摘要翻译： 微电子电路构造的电特性具有至少做了一个模拟电子单元被设置。 在配置步骤中，通过进料和/或提取的电荷，模拟电子单元被放入的状态下永久地确定性地雷单元的类似的电特性。 特别地，一个EEPROM单元的浮置栅极被充电到位于一个连续的范围内可自由选择的电荷值。
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2.发明公开Verfahren zum galvanischen Aufbringen eines Metalls, insbesondere von Kupfer, Verwendung dieses Verfahrens und integrierte Schaltungsanordnung 审中-公开一种用于电沉积的金属，特别是铜，使用这种方法的方法和集成电路装置
公开(公告)号：EP2128899A1
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：EP09170565.7
申请日：2003-11-20
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L21/76879
摘要： Erläutert wird unter anderem ein Verfahren, bei dem ein Kontaktloch (18) zu einer Leitbahn (14) in einer Isolierschicht (16) hergestellt wird. Anschließend wird eine Barriereschicht (20) aufgebracht. Danach wird eine Fotolackschicht (30) aufgebracht, bestrahlt und entwickelt. Mit Hilfe eines galvanischen Verfahrens wird danach ein Kupferkontakt (32) in dem Kontaktloch (18) erzeugt. Entweder dient die Barriereschicht (20) oder eine zusätzliche Grenzelektrodenschicht (22) als Grenzelektrode in dem galvanischen Prozess. Kritische Metallkontaminationen werden durch dieses Verfahren in der Fertigung gering gehalten.
摘要翻译： 施加金属，特别是铜或铜合金，包括形成朝向一个集成的开关装置（10）的绝缘层（16）的带状导体（14）的接触孔，形成接触层之后施加的阻挡层（20）， 施加金属（32），或使用电镀工艺的金属合金。 阻挡层充当用于施加金属或金属合金的电镀工艺的边界电极。 边界电极层（22）除了所述阻挡层的辐射敏感层被施加之前施加。 因此独立claimsoft被包括在用于施加金属替代方法。
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3.发明授权Verfahren zum galvanischen Aufbringen eines Metalls, insbesondere von Kupfer, und Verwendung dieses Verfahrens 有权一种用于电沉积的金属，特别是铜，和使用该方法的方法
公开(公告)号：EP2028686B1
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：EP08167849.2
申请日：2003-11-20
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L21/76879
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4.发明公开Verfahren zum galvanischen Aufbringen eines Metalls, insbesondere von Kupfer, und Verwendung dieses Verfahrens 有权一种用于电沉积的金属，特别是铜，和使用该方法的方法
公开(公告)号：EP2028686A1
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：EP08167849.2
申请日：2003-11-20
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L21/76879
摘要： Erläutert wird unter anderem ein Verfahren, bei dem ein Kontaktloch (18) zu einer Leitbahn (14) in einer Isolierschicht (16) hergestellt wird. Anschließend wird eine Barriereschicht (20) aufgebracht. Danach wird eine Fotolackschicht (30) aufgebracht, bestrahlt und entwickelt. Mit Hilfe eines galvanischen Verfahrens wird danach ein Kupferkontakt (32) in dem Kontaktloch (18) erzeugt. Entweder dient die Barriereschicht (20) oder eine zusätzliche Grenzelektrodenschicht (22) als Grenzelektrode in dem galvanischen Prozess. Kritische Metallkontaminationen werden durch dieses Verfahren in der Fertigung gering gehalten.
摘要翻译： 施加金属，特别是铜或铜合金，包括形成朝向一个集成的开关装置（10）的绝缘层（16）的带状导体（14）的接触孔，形成接触层之后施加的阻挡层（20）， 施加金属（32），或使用电镀工艺的金属合金。 阻挡层充当用于施加金属或金属合金的电镀工艺的边界电极。 边界电极层（22）除了所述阻挡层的辐射敏感层被施加之前施加。 因此独立claimsoft被包括在用于施加金属替代方法。
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5.发明公开
公开(公告)号：EP1182779A2
公开(公告)日：2002-02-27
申请号：EP01117136.0
申请日：2001-07-13
发明人： Bradl, Stephan , Gehring, Oliver , Heitzsch, Olaf
IPC分类号： H03K19/173
CPC分类号： G11C27/005
摘要： Die Erfindung betrifft das Einstellen der elektrischen Eigenschaften einer mikroelektronischen Schaltungsanordnung (5) mit zumindest einer analogen elektronischen Einheit (11, 12, 13). In einem Konfigurationsschritt wird die analoge Einheit (11, 12, 13) durch Zuführen und/oder Abführen elektrischer Ladung in einen Zustand versetzt, der analoge elektrische Eigenschaften der Einheit dauerhaft bestimmt. Insbesondere wird dabei das Floating Gate einer EEPROM-Zelle auf einen frei wählbaren innerhalb eines kontinuierlichen Bereichs liegenden Ladungswert aufgeladen.
摘要翻译： 本发明涉及的微电子电路装置（5）与至少一个模拟电子单元（11，12，13）的电特性的调整。 在配置步骤中，类似的单元（11，12，13）通过供给和/或永久地确定的单元的模拟电特性的状态下排出电荷位移。 特别地，一个EEPROM单元的浮置栅极被充电到一个可自由选择的连续范围卧电荷值之内。
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