发明授权
- 专利标题： SILICON LEVEL SOLUTION FOR MITIGATION OF SUBSTRATE NOISE
- 专利标题（中）： 溶液对芯片级FOR低损耗衬底噪声的
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申请号： EP07799114.9申请日： 2007-06-27
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公开(公告)号： EP2044626B1公开(公告)日： 2015-07-22
- 发明人: KAMGAING, Telesphor
- 申请人： Intel Corporation
- 申请人地址： 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, California 95052 US
- 专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人地址： 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, California 95052 US
- 代理机构： Hutchinson, Glenn Stanley
- 优先权： US479583 20060629
- 国际公布： WO2008003010 20080103
- 主分类号： H01L23/538
- IPC分类号： H01L23/538 ; H01L21/768 ; H01L23/48 ; H01L23/58 ; H01L21/8234 ; H01L21/8238 ; H01L21/764
公开/授权文献
- EP2044626A1 SILICON LEVEL SOLUTION FOR MITIGATION OF SUBSTRATE NOISE 公开/授权日：2009-04-08
信息查询
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