发明授权
- 专利标题： Manufacturing method of a silicon substrate
- 专利标题（中）： 的硅衬底的制造方法
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申请号： EP09003141.0申请日： 2009-03-04
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公开(公告)号： EP2099073B1公开(公告)日： 2015-07-29
- 发明人: Kurita, Kazunari , Omote, Shuichi
- 申请人： SUMCO CORPORATION
- 申请人地址： 2-1, Shibaura 1-chome Minato-ku, Tokyo JP
- 专利权人： SUMCO CORPORATION
- 当前专利权人： SUMCO CORPORATION
- 当前专利权人地址： 2-1, Shibaura 1-chome Minato-ku, Tokyo JP
- 代理机构： Beckmann, Claus
- 优先权： JP2008054842 20080305
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146 ; C30B15/04 ; C30B15/20 ; C30B29/06 ; C30B33/02
公开/授权文献
- EP2099073A3 Silicon substrate and manufacturing method of the same 公开/授权日：2013-06-19
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