发明授权
- 专利标题： SELEKTIVES WACHSTUM VON POLYKRISTALLINEM SILIZIUMHALTIGEN HALBLEITERMATERIAL AUF SILIZIUMHALTIGER HALBLEITEROBERFLÄCHE
- 专利标题（英）： Selective growth of polycrystalline silicon-containing semiconductor material on a silicon-containing semiconductor surface
- 专利标题（中）： 选择性生长多晶硅含半导体材料ON硅半导体表面
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申请号： EP08716881.1申请日： 2008-02-15
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公开(公告)号： EP2130214B1公开(公告)日： 2013-01-02
- 发明人: TILLACK, Bernd , HEINEMANN, Bernd , YAMAMOTO, Yuji
- 申请人： IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
- 申请人地址： Im Technologiepark 25 15236 Frankfurt / Oder DE
- 专利权人： IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
- 当前专利权人： IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
- 当前专利权人地址： Im Technologiepark 25 15236 Frankfurt / Oder DE
- 代理机构： Eisenführ, Speiser & Partner
- 优先权： DE102007010563 20070222
- 国际公布： WO2008101877 20080828
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/20 ; C23C16/02 ; C23C16/04 ; C23C16/24 ; C23C16/28
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