发明授权
EP2148373B1 Procédé pour contraindre simultanément en tension et en compression les canaux de transistors NMOS et PMOS respectivement
有权
一种用于在张力每个同时位移和压缩NMOS和PMOS晶体管的信道的过程
- 专利标题： Procédé pour contraindre simultanément en tension et en compression les canaux de transistors NMOS et PMOS respectivement
- 专利标题（英）： Method for applying simultaneous tensile and compressive stress to NMOS and PMOS transistor channels respectively
- 专利标题（中）： 一种用于在张力每个同时位移和压缩NMOS和PMOS晶体管的信道的过程
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申请号： EP09165568.8申请日： 2009-07-15
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公开(公告)号： EP2148373B1公开(公告)日： 2015-11-11
- 发明人: Lamrani, Younes , Barbe, Jean-Charles , Kostrzewa, Marek
- 申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
- 申请人地址： Bâtiment "Le Ponant D" 25, rue Leblanc 75015 Paris FR
- 专利权人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
- 当前专利权人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
- 当前专利权人地址： Bâtiment "Le Ponant D" 25, rue Leblanc 75015 Paris FR
- 代理机构： Ilgart, Jean-Christophe
- 优先权： FR0854946 20080721
- 主分类号： H01L29/10
- IPC分类号： H01L29/10 ; H01L21/8238 ; H01L21/84
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