发明授权
- 专利标题： HIGH-PURITY YTTERBIUM, SPUTTERING TARGET MADE OF HIGH-PURITY YTTERBIUM, THIN FILM CONTAINING HIGH-PURITY YTTERBIUM, AND METHOD FOR PRODUCING HIGH-PURITY YTTERBIUM
- 专利标题（中）： 高纯度钇，高纯度镱溅射靶材，含高纯度钇的薄膜及生产高纯度钇的方法
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申请号： EP08841768.8申请日： 2008-09-24
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公开(公告)号： EP2204461B1公开(公告)日： 2017-09-06
- 发明人: SHINDO, Yuichiro , YAGI, Kazuto
- 申请人： JX Nippon Mining & Metals Corporation
- 申请人地址： 6-3, Otemachi 2-chome Chiyoda-ku Tokyo 100-8164 JP
- 专利权人： JX Nippon Mining & Metals Corporation
- 当前专利权人： JX Nippon Mining & Metals Corporation
- 当前专利权人地址： 6-3, Otemachi 2-chome Chiyoda-ku Tokyo 100-8164 JP
- 代理机构： Bond, Christopher William
- 优先权： JP2007274808 20071023
- 国际公布： WO2009054217 20090430
- 主分类号： C22B59/00
- IPC分类号： C22B59/00 ; C22B5/04 ; C22B9/02 ; C22B9/16 ; C22C28/00 ; C23C14/34
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