发明公开
- 专利标题： SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL INGOT, AND SUBSTRATE AND EPITAXIAL WAFER OBTAINED FROM THE SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL INGOT
- 专利标题（中）： 单晶硅块和从单晶硅块，并收集衬底外延片
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申请号： EP09702431申请日： 2009-01-14
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公开(公告)号： EP2230332A4公开(公告)日： 2011-09-07
- 发明人: OHTANI NOBORU , KATSUNO MASAKAZU , TSUGE HIROSHI , NAKABAYASHI MASASHI , FUJIMOTO TATSUO
- 申请人： NIPPON STEEL CORP
- 专利权人： NIPPON STEEL CORP
- 当前专利权人： NIPPON STEEL CORP
- 优先权： JP2008005950 2008-01-15
- 主分类号： C30B29/36
- IPC分类号： C30B29/36
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