Procédé de formation d'un niveau d'un circuit intégré par intégration tridimensionnelle séquentielle

发明公开

EP2259304A1 Procédé de formation d'un niveau d'un circuit intégré par intégration tridimensionnelle séquentielle 有权

标题翻译：使用三维连续一体化的三组分的水平的生产过程

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专利标题： Procédé de formation d'un niveau d'un circuit intégré par intégration tridimensionnelle séquentielle
专利标题（英）： Manufacturing method of one level of a tridimensional integrated circuits by tridimensional sequential integration
专利标题（中）： 使用三维连续一体化的三组分的水平的生产过程
申请号： EP10164878.0

申请日： 2010-06-03
公开(公告)号： EP2259304A1

公开(公告)日： 2010-12-08
发明人: Coudrain, Perceval , Coronel, Philippe , Buffet, Nicolas
申请人： STmicroelectronics SA , STMicroelectronics (Crolles 2) SAS , Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
申请人地址： 29, boulevard Romain Rolland 92120 Montrouge FR
专利权人： STmicroelectronics SA,STMicroelectronics (Crolles 2) SAS,Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
当前专利权人： STmicroelectronics SA,STMicroelectronics (Crolles 2) SAS,Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
当前专利权人地址： 29, boulevard Romain Rolland 92120 Montrouge FR
代理机构： de Beaumont, Michel
优先权： FR0953766 20090605
主分类号： H01L21/822
IPC分类号： H01L21/822 ; H01L27/06

Procédé de formation d'un niveau d'un circuit intégré par intégration tridimensionnelle séquentielle

摘要：

L'invention concerne un procédé de formation d'un niveau d'une structure tridimensionnelle sur un premier support (30, 34) dans lequel sont formés des composants, comprenant les étapes suivantes :
former, sur un deuxième support semiconducteur, un substrat semiconducteur monocristallin (36) avec interposition d'une couche d'oxyde thermique ;
apposer la face libre du substrat semiconducteur monocristallin sur la surface supérieure du premier support ;
éliminer le deuxième support semiconducteur ; et
amincir la couche d'oxyde thermique jusqu'à une épaisseur propre à constituer un isolant de grille.

摘要（中）：

该方法包括在上半导体支撑，其中，所述基板由硅树脂制成的插入的热氧化物层形成具有单晶半导体基板（36）。的单晶半导体衬底的自由表面上放置到另一半导体支撑件（30）上表面上。前者半导体支持被删除。热氧化物层E.G. 硅氧化物层，被减薄到厚度形成由原子簇或基于单体离子束的栅极绝缘体。

公开/授权文献

EP2259304B1 Procédé de formation d'un niveau d'un circuit intégré par intégration tridimensionnelle séquentielle 公开/授权日：2016-05-04

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822	.....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）